| 54 |
Titel |
TI |
[DE] Randabschluss für ein Halbleiterbauelement, Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
[EN] Edge termination for semiconductor component, has semiconductor body which has edge with peripheral area of former type of conductivity, and latter type of conductivity is provided into peripheral area of charging compensation ranges |
| 71/73 |
Anmelder/Inhaber |
PA |
Infineon Technologies Austria AG, Villach, AT
|
| 72 |
Erfinder |
IN |
Rüb, Michael, Dr.rer.nat., Faak, AT
;
Schmitt, Markus, Dr.rer.nat., 85630 Grasbrunn, DE
;
Tolksdorf, Carolin, Dr.-Ing., 82327 Tutzing, DE
;
Willmeroth, Armin, Dipl.-Ing., 86163 Augsburg, DE
|
| 22/96 |
Anmeldedatum |
AD |
05.10.2006 |
| 21 |
Anmeldenummer |
AN |
102006047489 |
|
Anmeldeland |
AC |
DE |
|
Veröffentlichungsdatum |
PUB |
10.04.2008 |
33
31
32 |
Priorität |
PRC
PRN
PRD |
|
| 51 |
IPC-Hauptklasse |
ICM |
H01L 29/06
(2006.01)
|
| 51 |
IPC-Nebenklasse |
ICS |
H01L 29/78
(2006.01)
|
|
IPC-Zusatzklasse |
ICA |
|
|
IPC-Indexklasse |
ICI |
|
|
Gemeinsame Patentklassifikation |
CPC |
H01L 29/0634
H01L 29/0696
H01L 29/1095
H01L 29/402
H01L 29/7811
|
|
MCD-Hauptklasse |
MCM |
H01L 29/06
(2006.01)
|
|
MCD-Nebenklasse |
MCS |
H01L 29/78
(2006.01)
|
|
MCD-Zusatzklasse |
MCA |
|
| 57 |
Zusammenfassung |
AB |
[DE] Ein Halbleiterbauelement soll eine möglichst gute Kompensation der Ladungsträger im Randbereich gewährleisten und mit hoher Ausbeute zu fertigen sein. Dazu weist der Randabschluss für ein Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper einen Rand mit einem Randgebiet eines ersten Leitfähigkeitstyps auf, wobei in das Randgebiet Ladungskompensationsbereiche eines zweiten Leitfähigkeitstyps eingebettet sind. Die Ladungskompensationsbereiche erstrecken sich von einer Oberseite des Halbleiterbauelements vertikal in den Halbleiterkörper hinein. Für die Anzahl Ns der in einem Volumen Vs zwischen zwei in einer Richtung senkrecht zum Rand benachbarten Ladungskompensationsbereichen vorhandenen Ladungsträger und für die Anzahl Np der in einem Volumen Vp zwischen zwei in einer Richtung parallel zum Rand benachbarten Ladungskompensationsbereichen vorhandenen Ladungsträger gilt Np > Ns.
[EN] The edge termination has a semiconductor body which has an edge with a peripheral area (2) of a former type of conductivity, and a latter type of conductivity is provided into the peripheral area of charging compensation ranges. The number of the charge carrier existing in a volume between two charging compensation areas adjacent to the edge in a vertical direction is greater than the number of the charge carrier existing in a volume between two charging compensation areas adjacent to the edge in a parallel direction. An independent claim is also included for a method of manufacturing a semiconductor element. |
| 56 |
Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CT |
DE000010100802C1
DE000010303335A1
DE000019828191C1
US000006844592B2
WO001999053550A1
|
| 56 |
Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CT |
|
| 56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CTNP |
|
| 56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CTNP |
|
|
Zitierende Dokumente |
|
Dokumente ermitteln
|
|
Sequenzprotokoll |
|
|
|
Prüfstoff-IPC |
ICP |
H01L 21/425
H01L 29/06 E
H01L 29/78
|
