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Titel |
TI |
[DE] Randabschluss für vertikales Hochvolt-Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung für einen IGBT
[EN] Vertical high volt semiconductor device`s e.g. thyristor, lip, has lateral semiconductor device provided in boundary region adjacent to cell field to contribute to current load-carrying capacity when high volt semiconductor device is on |
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Anmelder/Inhaber |
PA |
Infineon Technologies Austria AG, Villach, AT
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| 72 |
Erfinder |
IN |
Rüb, Michael, Dr., Faak am See, AT
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| 22/96 |
Anmeldedatum |
AD |
29.03.2006 |
| 21 |
Anmeldenummer |
AN |
102006014580 |
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Anmeldeland |
AC |
DE |
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Veröffentlichungsdatum |
PUB |
11.10.2007 |
33
31
32 |
Priorität |
PRC
PRN
PRD |
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| 51 |
IPC-Hauptklasse |
ICM |
H01L 29/06
(2006.01)
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| 51 |
IPC-Nebenklasse |
ICS |
H01L 21/331
(2006.01)
H01L 29/739
(2006.01)
H01L 29/78
(2006.01)
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IPC-Zusatzklasse |
ICA |
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IPC-Indexklasse |
ICI |
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Gemeinsame Patentklassifikation |
CPC |
H01L 29/0634
H01L 29/0696
H01L 29/0878
H01L 29/0882
H01L 29/42368
H01L 29/7393
H01L 29/7395
H01L 29/7803
H01L 29/7811
H01L 29/7831
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MCD-Hauptklasse |
MCM |
H01L 29/06
(2006.01)
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MCD-Nebenklasse |
MCS |
H01L 21/331
(2006.01)
H01L 29/739
(2006.01)
H01L 29/78
(2006.01)
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MCD-Zusatzklasse |
MCA |
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Zusammenfassung |
AB |
[DE] Die Erfindung betrifft einen Randabschluss für ein Hochvolt-Halbleiterbauelement, bei dem im Randbereich (R) ein laterales Halbleiterbauelement vorgesehen ist, das im eingeschalteten Zustand des Hochvolt-Halbleiterbauelements zu dessen Stromtragfähigkeit beiträgt.
[EN] The lip has a semiconductor body (1) with a semiconductor layer (3) of a conductive type, where the body has an inner area with a cell field (Z) in its front side (4) and a boundary region (R) partly surrounding the inner area. A lateral semiconductor device e.g. lateral field effect transistor, is provided in the region adjacent to the field. The device contributes to its current load-carrying capacity in switched on condition of a high volt semiconductor device e.g. thyristor, and is closable in switched off condition of the high volt semiconductor device. An independent claim is also included for a procedure for manufacturing a lip for an insulated gate bipolar transistor (IGBT). |
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Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CT |
US000006870201B1
WO002000038243A1
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| 56 |
Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CT |
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| 56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CTNP |
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| 56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CTNP |
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Zitierende Dokumente |
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Dokumente ermitteln
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Sequenzprotokoll |
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Prüfstoff-IPC |
ICP |
H01L 21/331
H01L 29/06 E
H01L 29/739
H01L 29/78
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