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Titel |
TI |
[DE] Leistungshalbleiterbauelement mit einer Driftstrecke und einer hochdielektrischen Kompensationszone und Verfahren zur Herstellung einer Kompensationszone
[EN] Power semiconductor component, e.g. power metal oxide semiconductor field effect transistor, has compensation zone including high dielectric material with temperature dependent dielectric constant, where constant varies in direction |
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Anmelder/Inhaber |
PA |
Infineon Technologies Austria AG, Villach, AT
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| 72 |
Erfinder |
IN |
Hirler, Franz, Dr., 84424 Isen, DE
;
Rüb, Michael, Dr., Faak am See, AT
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| 22/96 |
Anmeldedatum |
AD |
31.01.2006 |
| 21 |
Anmeldenummer |
AN |
102006004405 |
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Anmeldeland |
AC |
DE |
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Veröffentlichungsdatum |
PUB |
30.08.2007 |
33
31
32 |
Priorität |
PRC
PRN
PRD |
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| 51 |
IPC-Hauptklasse |
ICM |
H01L 29/06
(2006.01)
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| 51 |
IPC-Nebenklasse |
ICS |
H01L 29/78
(2006.01)
H01L 29/872
(2006.01)
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IPC-Zusatzklasse |
ICA |
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IPC-Indexklasse |
ICI |
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Gemeinsame Patentklassifikation |
CPC |
H01L 29/0611
H01L 29/0615
H01L 29/0634
H01L 29/0653
H01L 29/0696
H01L 29/407
H01L 29/408
H01L 29/41766
H01L 29/6634
H01L 29/66727
H01L 29/7396
H01L 29/7802
H01L 29/7813
H01L 29/7816
H01L 29/8083
H01L 29/872
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MCD-Hauptklasse |
MCM |
H01L 29/06
(2006.01)
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MCD-Nebenklasse |
MCS |
H01L 29/78
(2006.01)
H01L 29/872
(2006.01)
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MCD-Zusatzklasse |
MCA |
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Zusammenfassung |
AB |
[DE] Die Erfindung betrifft ein Leistungshalbleiterbauelement, das folgende Merkmale aufweist: - einen Halbleiterkörper (100) mit einer Driftzone (11) eines ersten Leitungstyps, - einen Bauelementübergang zwischen der Driftzone (11) und einer weiteren Bauelementzone (12, 41), die derart ausgestaltet ist, dass sich bei Anlegen einer Sperrspannung an den Bauelementübergang eine Raumladungszone in einer ersten Richtung in der Driftzone (11) ausbildet, - eine Kompensationzone (30), die in einer zweiten Richtung benachbart zu der Driftzone (11) angeordnet ist und die ein hochdielektrisches Material mit einer temperaturabhängigen Dielektrizitätskonstante aufweist, dessen Temperaturabhängigkeit in der zweiten Richtung variiert. Die Erfindung betrifft außerdem ein Verfahren zur Herstellung einer ein hochdielektrisches Material aufweisenden Kompensationszone.
[EN] A component has a semiconductor body (100) with a drift zone (11) of power type. A component junction is formed between the drift zone and a component zone (12) such that a space charge zone is formed in a direction in the drift zone during supplying of the inverse voltage to the junction. A compensation zone (30) is arranged in another direction adjacent to the drift zone and includes a high dielectric material with a temperature dependent dielectric constant, where the temperature dependent constant varies in the latter direction. An independent claim is also included for the production of a power semiconductor component. |
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Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CT |
DE102004007197A1
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| 56 |
Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CT |
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| 56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CTNP |
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| 56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CTNP |
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Zitierende Dokumente |
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Dokumente ermitteln
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Sequenzprotokoll |
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Prüfstoff-IPC |
ICP |
H01L 29/06 E
H01L 29/40
H01L 29/739
H01L 29/78
H01L 29/808
H01L 29/812
H01L 29/872
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