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Titel |
TI |
[DE] Leistungshalbleiterbauelement mit einer Feldelektrodenstruktur und Verfahren zur Herstellung einer Feldelektrodenstruktur
[EN] Power semiconductor element and production process has field electrode structure with at least two first field electrodes and a second field electrode in a second direction with dielectric separation between them |
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Anmelder/Inhaber |
PA |
Infineon Technologies AG, 81669 München, DE
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| 72 |
Erfinder |
IN |
Hirler, Franz, Dr., 84424 Isen, DE
;
Rüb, Michael, Dr., Faak am See, AT
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| 22/96 |
Anmeldedatum |
AD |
30.09.2005 |
| 21 |
Anmeldenummer |
AN |
102005047056 |
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Anmeldeland |
AC |
DE |
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Veröffentlichungsdatum |
PUB |
18.01.2007 |
33
31
32 |
Priorität |
PRC
PRN
PRD |
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| 51 |
IPC-Hauptklasse |
ICM |
H01L 29/06
(2006.01)
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| 51 |
IPC-Nebenklasse |
ICS |
H01L 21/329
(2006.01)
H01L 21/336
(2006.01)
H01L 29/78
(2006.01)
H01L 29/861
(2006.01)
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IPC-Zusatzklasse |
ICA |
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IPC-Indexklasse |
ICI |
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Gemeinsame Patentklassifikation |
CPC |
H01L 29/0634
H01L 29/1095
H01L 29/404
H01L 29/407
H01L 29/41766
H01L 29/66734
H01L 29/7802
H01L 29/7813
H01L 29/861
H01L 29/872
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MCD-Hauptklasse |
MCM |
H01L 29/06
(2006.01)
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MCD-Nebenklasse |
MCS |
H01L 21/329
(2006.01)
H01L 21/336
(2006.01)
H01L 29/78
(2006.01)
H01L 29/861
(2006.01)
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MCD-Zusatzklasse |
MCA |
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Zusammenfassung |
AB |
[DE] Die Erfindung betrifft ein Leistungshalbleiterbauelement mit einer Feldelektrodenstruktur und Verfahren zur Herstellung einer Feldelektrodenstruktur. Das Leistungshalbleiterbauelement umfasst: DOLLAR A einen Halbleiterkörper (100) mit einer Driftzone (11) und einem Übergang (16) zwischen der Driftzone (11) und einer weiteren Bauelementzone (12; 72), die derart ausgestaltet ist, dass sich bei Anlegen einer Sperrspannung an den Übergang (16) eine Raumladungszone in einer ersten Richtung in der Driftzone (12) ausbildet, DOLLAR A eine Feldelektrodenstruktur (40), die in einer zweiten Richtung benachbart zu der Driftzone (11) angeordnet ist und die in dieser zweiten Richtung wenigstens abschnittsweise mittels einer ersten Dielektrikumsschicht (33) isoliert gegenüber der Driftzone (11) angeordnet ist, und die aufweist: DOLLAR A wenigstens zwei erste Feldelektroden (41), die in der ersten Richtung benachbart zueinander angeordnet sind, die durch wenigstens eine Dielektrikumsschicht (61) gegeneinander isoliert sind und die durch die erste Dielektrikumsschicht (33) von der Driftzone (11) getrennt sind, DOLLAR A wenigstens eine zweite Feldelektrode (42), die in der zweiten Richtung benachbart zu den wenigstens zwei ersten Feldelektroden (41) angeordnet ist, wobei die zweite Feldelektrode (42) in der ersten Richtung die wenigstens zwei ersten Feldelektroden (41) überlappt und mittels einer Dielektrikumsschicht (62) gegenüber den ersten Feldelektroden (41) isoliert ist.
[EN] A power semiconductor element comprises a semiconductor body (100) with a drift zone (11) and a transition (16) from this to a further component zone (12) that forms a space charge on applying a blocking voltage. There is a field electrode structure (40) comprising at least two adjacent first field electrodes (41) in a second direction isolated and separated from the drift zone and from one another by a dielectric (33,61) and at least one second field electrode (42) in a second direction neighboring and overlapping the first and isolated from it. Independent claims are also included for the following: (A) Production processes for a field electrode structure;and (B) A production process for a structured layer. |
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Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CT |
DE000010339455B3
DE000010339488B3
DE102004007197A1
US000004903189A
US000004941026A
US000006555873B2
US000006677641B2
US000006717230B2
US000006853033B2
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Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CT |
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Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CTNP |
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Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CTNP |
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Zitierende Dokumente |
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Dokumente ermitteln
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Sequenzprotokoll |
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Prüfstoff-IPC |
ICP |
H01L 21/329
H01L 21/336
H01L 29/06 E
H01L 29/861
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