Bibliografische Daten

Dokument DE102005047054B4 (Seiten: 12)

Bibliografische Daten Dokument DE102005047054B4 (Seiten: 12)
INID Kriterium Feld Inhalt
54 Titel TI [DE] Leistungs-MOS-Transistor mit einer SiC-Driftzone und Verfahren zur Herstellung eines Leistungs-MOS-Transistors
71/73 Anmelder/Inhaber PA Infineon Technologies Austria AG, Villach, AT
72 Erfinder IN Baumgartl, Johannes, Dr., Riegersdorf, AT ; Rüb, Michael, Dr., Faak am See, AT ; Treu, Michael, Dr., Villach, AT
22/96 Anmeldedatum AD 30.09.2005
21 Anmeldenummer AN 102005047054
Anmeldeland AC DE
Veröffentlichungsdatum PUB 03.04.2008
33
31
32
Priorität PRC
PRN
PRD


51 IPC-Hauptklasse ICM H01L 29/78 (2006.01)
51 IPC-Nebenklasse ICS H01L 21/336 (2006.01)
IPC-Zusatzklasse ICA
IPC-Indexklasse ICI
Gemeinsame Patentklassifikation CPC H01L 29/0634
H01L 29/1095
H01L 29/1608
H01L 29/165
H01L 29/66068
H01L 29/66727
H01L 29/7802
MCD-Hauptklasse MCM H01L 29/78 (2006.01)
MCD-Nebenklasse MCS H01L 21/336 (2006.01)
MCD-Zusatzklasse MCA
57 Zusammenfassung AB
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt
CT DE000010130158A1
DE000019641839A1
US000006307232B1
US020040007715A1
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt
CT
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt
CTNP Patent Abstract of Japan & JP 2003249652 A 0;
Patent Abstract of Japan: JP 2003-249 652 A n;
Yih, P.H. u.a.: SiC/Si Heterojunction Diodes Fabricated by Self-Selective and by Blanket Rapid Thermal Chemical Vapor Deposition. In: IEEE Transaction on Electron Devices, Vol. 41, No. 3, 1994, S. 281-287 p 0
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt
CTNP
Zitierende Dokumente Dokumente ermitteln
Sequenzprotokoll
Prüfstoff-IPC ICP H01L 21/336 V
H01L 29/78