Bibliografische Daten

Dokument DE102005046711B4 (Seiten: 37)

Bibliografische Daten Dokument DE102005046711B4 (Seiten: 37)
INID Kriterium Feld Inhalt
54 Titel TI [DE] Verfahren zur Herstellung eines vertikalen MOS-Halbleiterbauelementes mit dünner Dielektrikumsschicht und tiefreichenden vertikalen Abschnitten
71/73 Anmelder/Inhaber PA Infineon Technologies Austria AG, Villach, AT
72 Erfinder IN Hirler, Franz, Dr., 84424 Isen, DE ; Mauder, Anton, Dr., 83059 Kolbermoor, DE ; Pfirsch, Frank, Dr., 81545 München, DE ; Pippan, Manfred, Dr., Nötsch, AT ; Rupp, Roland, Dr., 91207 Lauf, DE ; Rüb, Michael, Dr., Faak am See, AT ; Schulze, Hans-Joachim, Dr., 85521 Ottobrunn, DE ; Schäfer, Herbert, Dr., 85635 Höhenkirchen-Siegertsbrunn, DE ; Sedlmaier, Stefan, Dr., 80995 München, DE ; Weber, Hans, Dr., 83404 Ainring, DE ; Willmeroth, Armin, 86163 Augsburg, DE
22/96 Anmeldedatum AD 29.09.2005
21 Anmeldenummer AN 102005046711
Anmeldeland AC DE
Veröffentlichungsdatum PUB 27.12.2007
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Priorität PRC
PRN
PRD


51 IPC-Hauptklasse ICM H01L 21/336 (2006.01)
51 IPC-Nebenklasse ICS
IPC-Zusatzklasse ICA
IPC-Indexklasse ICI
Gemeinsame Patentklassifikation CPC H01L 21/76224
H01L 29/0653
H01L 29/165
H01L 29/66734
H01L 29/7804
H01L 29/7813
H01L 29/7849
MCD-Hauptklasse MCM H01L 21/336 (2006.01)
MCD-Nebenklasse MCS
MCD-Zusatzklasse MCA
57 Zusammenfassung AB
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt
CT DE000010214175A1
EP000000296348B1
US000004522662A
WO002002067332A2
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt
CT
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt
CTNP
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt
CTNP
Zitierende Dokumente Dokumente ermitteln
Sequenzprotokoll
Prüfstoff-IPC ICP H01L 21/336 V
H01L 29/78