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Erfinder |
IN |
Hirler, Franz, Dr., 84424 Isen, DE
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Mauder, Anton, Dr., 83059 Kolbermoor, DE
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Pfirsch, Frank, Dr., 81545 München, DE
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Pippan, Manfred, Dr., Nötsch, AT
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Rupp, Roland, Dr., 91207 Lauf, DE
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Rüb, Michael, Dr., Faak am See, AT
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Schulze, Hans-Joachim, Dr., 85521 Ottobrunn, DE
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Schäfer, Herbert, Dr., 85635 Höhenkirchen-Siegertsbrunn, DE
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Sedlmaier, Stefan, Dr., 80995 München, DE
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Weber, Hans, Dr., 83404 Ainring, DE
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Willmeroth, Armin, 86163 Augsburg, DE
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Zusammenfassung |
AB |
[DE] Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren soll ein Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper (10) hergestellt werden, in dem eine sehr dünne Dielektrikumsschicht (50) mit in vertikaler Richtung (v) verlaufenden Abschnitt angeordnet ist, welche sich sehr tief in den Halbleiterkörper (10) hineinerstrecken. DOLLAR A Dazu wird in dem Halbleiterkörper (10) ein breiter Graben erzeugt, dessen Seitenwände mit einer dünnen Beschichtung versehen werden. Die herzustellende Dielektrikumsschicht (50) wird aus einem oder mehreren Abschnitten dieser dünnen Beschichtung gebildet. DOLLAR A Alternativ dazu können der eine oder die mehreren Abschnitte der Beschichtung als Opferschichten ausgebildet sein und nach ihrem Entfernen durch das Material der herzustellenden Dielektrikumsschicht (50) ersetzt werden. DOLLAR A Auf die Beschichtung wird zumindest an den Grabenseitenwänden eine kristalline oder monokristalline Anwachsschicht aufgebracht. Die verbleibenden Restgräben werden zumindest teilweise mit Halbleiter-Füllmaterial und optional zusätzlich mit einem Dielektrikum aufgefüllt. DOLLAR A Bei beiden Varianten ist es möglich, nach dem Ätzen der Gräben und vor dem Aufbringen der Beschichtung noch eine Verspannschicht (80) und eine Kanalschicht (81) aufzubringen. Die Gitterkonstante der Verspannschicht (80) weicht von der natürlichen Gitterkonstante des Materials der Kanalschicht (81) ab, so dass die Kanalschicht (81) verspannt wird, wodurch sich ihre Leitfähigkeit verbessert.
[EN] The method involves forming a semiconductor body with a front side and a drift zone (11). A trench extending from the front side into the semiconductor body is formed, removing an area of the drift zone. A sacrificial layer is formed at the side walls of the trench. The trench is filled with a semiconductor material selected so that the quotient of the net dopant charge of the semiconductor material in the area where the drift zone was removed and the total area of the sacrificial layer arranged between the semiconductor material and the drift zone is smaller than the breakdown-charge of the semiconductor material. A dielectric layer (50) is formed by removing the sacrificial layer and replacing it with a dielectric. An independent claim is included for a further method of manufacturing a semiconductor device. |
