Bibliografische Daten

Dokument DE102005046007A1 (Seiten: 30)

Bibliografische Daten Dokument DE102005046007A1 (Seiten: 30)
INID Kriterium Feld Inhalt
54 Titel TI [DE] Laterales Kompensationshalbleiterbauteil mit gekoppelten Kompensationszellen und Verfahren zu seiner Herstellung
[EN] Lateral compensation semiconductor component for use as high voltage transistor, has coupling layers for connection of compensation cells with each other, where layers are of p-type conduction and are in connection with source region
71/73 Anmelder/Inhaber PA Infineon Technologies AG, 81669 München, DE
72 Erfinder IN Rüb, Michael, Dr.rer.nat., Faak am See, AT ; Schmitt, Markus, Dipl.-Phys., 81373 München, DE ; Tolksdorf, Carolin, Dipl.-Phys., 82327 Tutzing, DE ; Wahl, Uwe, Dr.-Ing., 80798 München, DE ; Willmeroth, Armin, Dipl.-Phys., 86163 Augsburg, DE
22/96 Anmeldedatum AD 26.09.2005
21 Anmeldenummer AN 102005046007
Anmeldeland AC DE
Veröffentlichungsdatum PUB 12.04.2007
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31
32
Priorität PRC
PRN
PRD


51 IPC-Hauptklasse ICM H01L 29/78 (2006.01)
51 IPC-Nebenklasse ICS H01L 29/06 (2006.01)
IPC-Zusatzklasse ICA
IPC-Indexklasse ICI
Gemeinsame Patentklassifikation CPC H01L 29/0634
H01L 29/0692
H01L 29/1083
H01L 29/7816
MCD-Hauptklasse MCM H01L 29/78 (2006.01)
MCD-Nebenklasse MCS H01L 29/06 (2006.01)
MCD-Zusatzklasse MCA
57 Zusammenfassung AB [DE] Die Erfindung betrifft ein laterales Kompensationshalbleiterbauteil (1) mit gekoppelten Kompensationszellen (18) und ein Verfahren zu seiner Herstellung. Dazu weist das laterale Kompensationshalbleiterbauteil (1) ein Driftgebiet (19) auf, das die Kompensationszellen (18) umgibt und zwischen einem Sourcegebiet (20) und einem Draingebiet (19) in einem Halbleiterkörper (22) angeordnet ist. Dabei ist das Driftgebiet (21) mit den Kompensationszellen (18) auf einem Substrat (23) gleichen Leitungstyps wie die Kompensationszellen (18) angeordnet. Das Substrat (23) steht elektrisch mit dem Sourcegebiet (20) in Verbindung, wobei zur elektrischen Kopplung der hochdotierten Kompensationszellen (18) untereinander Kopplungsschichten (24) oder Kopplungsstrukturen gleichen Leitungstyps wie die Kompensationszellen (18) in dem lateralen Kompensationshalbleiterbauteil (1) angeordnet sind und mit dem Sourcegebiet (20) elektrisch in Verbindung stehen.
[EN] The component (1) has highly doped compensation cells (18) of p-type conduction. A drift zone (21) with complementary n-type conduction is provided, and a substrate (23) is in connection with a source region (20). Coupling layers or coupling structures are provided for electrical connection of the compensation cells with each other. The coupling layers are of p-type conduction and are in electrical connection with the source region.
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt
CT DE000010052007C1
DE000010052170C2
DE000019828191C1
EP000000114435B1
EP000001073123A2
JP002000286417A
US000006528849B1
US020030193067A1
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt
CT
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt
CTNP
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt
CTNP
Zitierende Dokumente Dokumente ermitteln
Sequenzprotokoll
Prüfstoff-IPC ICP H01L 29/06 E
H01L 29/78