Bibliografische Daten

Dokument DE102005012217A1 (Seiten: 11)

Bibliografische Daten Dokument DE102005012217A1 (Seiten: 11)
INID Kriterium Feld Inhalt
54 Titel TI [DE] Lateraler MISFET und Verfahren zur Herstellung desselben
[EN] Lateral MISFET has semiconductor body of doped semiconductor substrate of first conductivity type and on semiconductor substrate epitaxial layer is provided to first conductivity type complementing second conductivity type
71/73 Anmelder/Inhaber PA Infineon Technologies Austria AG, Villach, AT
72 Erfinder IN Rüb, Michael, Dr.rer.nat., Faak am See, AT ; Schmitt, Markus, Dipl.-Phys., 85630 Grasbrunn, DE ; Tolksdorf, Carolin, Dipl.-Phys., 82327 Tutzing, DE ; Wahl, Uwe, Dr.-Ing., 80798 München, DE ; Willmeroth, Armin, Dipl.-Phys., 86163 Augsburg, DE
22/96 Anmeldedatum AD 15.03.2005
21 Anmeldenummer AN 102005012217
Anmeldeland AC DE
Veröffentlichungsdatum PUB 21.09.2006
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Priorität PRC
PRN
PRD


51 IPC-Hauptklasse ICM H01L 29/78 (2006.01)
51 IPC-Nebenklasse ICS H01L 21/336 (2006.01)
H01L 29/06 (2006.01)
IPC-Zusatzklasse ICA
IPC-Indexklasse ICI
Gemeinsame Patentklassifikation CPC H01L 29/0619
H01L 29/0696
H01L 29/782
H01L 29/7825
MCD-Hauptklasse MCM H01L 29/78 (2006.01)
MCD-Nebenklasse MCS H01L 21/336 (2006.01)
H01L 29/06 (2006.01)
MCD-Zusatzklasse MCA
57 Zusammenfassung AB [DE] Die Erfindung betrifft einen lateralen MISFET mit einem Halbleiterkörper (3) aus einem dotierten Halbleitersubstrat (4) eines ersten Leitungstyps und aus einer auf dem Halbleitersubstrat (4) vorgesehenen Epitaxieschicht (5) eines zum ersten Leitungstyp komplementären zweiten Leitungstyps. Dieser MISFET weist auf der Oberseite des Halbleiterkörpers (3) eine Drainelektrode (6), eine Sourceelektrode (7), eine Gateelektrode (8) mit Gateisolator (9) auf. An den Gateisolator angrenzend ist in der Epitaxieschicht (5) eine Halbleiterzone (10) des ersten Leitungstyps eingebettet, wobei zwischen der Halbleiterzone (10) und der Drainelektrode (6) eine Driftzone (11) des zweiten Leitungstyps in der Epitaxieschicht (5) angeordnet ist. Diese Driftzone (11) weist in Zeilen und Spalten angeordnete säulenförmige Gebiete (14) auf, deren Grenzschichten (15) eine Metallschicht (16) aufweisen, die zu dem Material der Driftzone (11) jeweils einen Schottky-Kontakt (17) bilden. Ferner betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung des lateralen MISFETs.
[EN] Lateral MISFET has semiconductor body (3) of a doped semiconductor substrate (4) of first conductivity type. On the semiconductor substrate an epitaxial layer (5) is provided to first conductivity type complementing second conductivity type. Lateral MISFET has a drain electrode (6), source electrode (7), gate electrode (8) with a gate isolator (9). A semiconductor region (10) of the first conductivity type is provided adjacent to gate isolator and embedded in the epitaxial layer. A drift zone (11) of the second conductivity type is arranged in the epitaxial layer between the source electrode and the drain electrode. In the arranged rows and columns, a cloumn-shaped region (14) is arranged. The boundary layers (15) exhibit a material layer (16) in drift zone, which in each case exhibits a schottky contact (17) at the material of the drift zone. An independent claim is also included for the method for producing lateral MISFET.
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt
CT DE000019828191C1
EP000000201945B1
US020040222461A1
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt
CT
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt
CTNP
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt
CTNP
Zitierende Dokumente Dokumente ermitteln
Sequenzprotokoll
Prüfstoff-IPC ICP H01L 21/336
H01L 29/00
H01L 29/06 E
H01L 29/78