Bibliografische Daten

Dokument DE102004063991B4 (Seiten: 19)

Bibliografische Daten Dokument DE102004063991B4 (Seiten: 19)
INID Kriterium Feld Inhalt
54 Titel TI [DE] Verfahren zur Herstellung von dotierten Halbleitergebieten in einem Halbleiterkörper eines lateralen Trenchtransistors
71/73 Anmelder/Inhaber PA Infineon Technologies AG, 85579 Neubiberg, DE
72 Erfinder IN Hirler, Franz, Dr., 84424 Isen, DE ; Meyer, Thorsten, Dr., 81545 München, DE ; Rüb, Michael, Dr., Faak am See, AT ; Schmitt, Markus, 81373 München, DE ; Schäffer, Carsten, Sattendorf, AT ; Tolksdorf, Carolin, 82327 Tutzing, DE ; Wahl, Uwe, Dr.-Ing., 80798 München, DE ; Willmeroth, Armin, 86163 Augsburg, DE
22/96 Anmeldedatum AD 29.10.2004
21 Anmeldenummer AN 102004063991
Anmeldeland AC DE
Veröffentlichungsdatum PUB 18.06.2009
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31
32
Priorität PRC
PRN
PRD
DE
102004052643
20041029
51 IPC-Hauptklasse ICM H01L 21/336 (2006.01)
51 IPC-Nebenklasse ICS H01L 29/78 (2006.01)
IPC-Zusatzklasse ICA
IPC-Indexklasse ICI
Gemeinsame Patentklassifikation CPC H01L 21/26586
H01L 29/0696
H01L 29/1045
H01L 29/1095
H01L 29/41758
H01L 29/4236
H01L 29/42368
H01L 29/66666
H01L 29/66689
H01L 29/66704
H01L 29/78
H01L 29/7825
MCD-Hauptklasse MCM H01L 21/336 (2006.01)
MCD-Nebenklasse MCS H01L 29/78 (2006.01)
MCD-Zusatzklasse MCA
57 Zusammenfassung AB
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt
CT DE000019743342C2
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt
CT
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt
CTNP
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt
CTNP
Zitierende Dokumente Dokumente ermitteln
Sequenzprotokoll
Prüfstoff-IPC ICP H01L 21/336
H01L 29/06
H01L 29/10
H01L 29/417
H01L 29/423
H01L 29/78