Bibliografische Daten

Dokument DE102004063991A1 (Seiten: 20)

Bibliografische Daten Dokument DE102004063991A1 (Seiten: 20)
INID Kriterium Feld Inhalt
54 Titel TI [DE] Lateraler Trenchtransistor sowie Verfahren zur Herstellung desselben
71/73 Anmelder/Inhaber PA Infineon Technologies AG, 85579 Neubiberg, DE
72 Erfinder IN Hirler, Franz, Dr., 84424 Isen, DE ; Meyer, Thorsten, Dr., 81545 München, DE ; Rüb, Michael, Dr., Faak am See, AT ; Schmitt, Markus, 81373 München, DE ; Schäffer, Carsten, Sattendorf, AT ; Tolksdorf, Carolin, 82327 Tutzing, DE ; Wahl, Uwe, Dr.-Ing., 80798 München, DE ; Willmeroth, Armin, 86163 Augsburg, DE
22/96 Anmeldedatum AD 29.10.2004
21 Anmeldenummer AN 102004063991
Anmeldeland AC DE
Veröffentlichungsdatum PUB 08.05.2008
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Priorität PRC
PRN
PRD
DE
102004052643
20041029
51 IPC-Hauptklasse ICM H01L 21/336 (2006.01)
51 IPC-Nebenklasse ICS H01L 29/78 (2006.01)
IPC-Zusatzklasse ICA
IPC-Indexklasse ICI
Gemeinsame Patentklassifikation CPC H01L 21/26586
H01L 29/0696
H01L 29/1045
H01L 29/1095
H01L 29/41758
H01L 29/4236
H01L 29/42368
H01L 29/66666
H01L 29/66689
H01L 29/66704
H01L 29/78
H01L 29/7825
MCD-Hauptklasse MCM H01L 21/336 (2006.01)
MCD-Nebenklasse MCS H01L 29/78 (2006.01)
MCD-Zusatzklasse MCA
57 Zusammenfassung AB [DE] Ein Verfahren zur Herstellung von dotierten Halbleitergebieten (3, 4, 5, 14) in einem Halbleiterkörper (2) eines lateralen Trenchtransistors (1, 100, 200) beinhaltet die folgenden Schritte: - Ausbilden eines Trenchs (6, 20, 21) in dem Halbleiterkörper, - Einbringen von Dotierstoffen in wenigstens einen an den Trench angrenzenden Bereich des Halbleiterkörpers (2), indem Implantations-, Belegungs- oder Eindiffusionsprozesse ausgeführt werden, derart, dass während dieser Prozesse entsprechende Dotierstoffe durch die Innenwände des Trenchs (6, 20, 21) in den wenigstens einen Bereich eintreten, wobei der Trench (20, 21) kein Gatetrench (6) ist, jedoch so von einem Gatetrench (6) beabstandet ist, dass das Eindringen der Dotierstoffe in den Halbleiterkörper, die zur Ausbildung der Source- und Bodygebiete dienen, beziehungsweise das anschließende Ausdiffundieren dieser Dotierstoffe die Erzeugung von MOS-Strukturen an zumindest einem Teil der Außenwände des Gatetrenchs bewirkt.
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt
CT DE000019743342C2
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt
CT
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt
CTNP
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt
CTNP
Zitierende Dokumente Dokumente ermitteln
Sequenzprotokoll
Prüfstoff-IPC ICP H01L 21/336
H01L 29/06
H01L 29/10
H01L 29/417
H01L 29/423
H01L 29/739
H01L 29/78