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Titel |
TI |
[DE] Laterale Halbleiterbauelemente mit hoher Spannungsfestigkeit und Verfahren zur Herstellung derselben
[EN] Lateral semiconductor component, e.g. to act as a bipolar component like a photo-intrinsic diode or an insulated gate bipolar transistor, has high electric strength |
| 71/73 |
Anmelder/Inhaber |
PA |
Infineon Technologies Austria AG, Villach, AT
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| 72 |
Erfinder |
IN |
Hirler, Franz, Dr., 84424 Isen, DE
;
Rüb, Michael, Dr., Faak am See, AT
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Schmitt, Markus, Dipl.-Phys., 81373 München, DE
;
Willmeroth, Armin, Dipl.-Phys., 86163 Augsburg, DE
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| 22/96 |
Anmeldedatum |
AD |
24.11.2004 |
| 21 |
Anmeldenummer |
AN |
102004056772 |
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Anmeldeland |
AC |
DE |
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Veröffentlichungsdatum |
PUB |
01.06.2006 |
33
31
32 |
Priorität |
PRC
PRN
PRD |
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| 51 |
IPC-Hauptklasse |
ICM |
H01L 29/868
(2006.01)
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| 51 |
IPC-Nebenklasse |
ICS |
H01L 21/328
(2006.01)
H01L 21/336
(2006.01)
H01L 29/739
(2006.01)
H01L 29/78
(2006.01)
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IPC-Zusatzklasse |
ICA |
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IPC-Indexklasse |
ICI |
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Gemeinsame Patentklassifikation |
CPC |
H01L 29/0634
H01L 29/0696
H01L 29/1095
H01L 29/404
H01L 29/407
H01L 29/41
H01L 29/4238
H01L 29/7816
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MCD-Hauptklasse |
MCM |
H01L 29/868
(2006.01)
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MCD-Nebenklasse |
MCS |
H01L 21/328
(2006.01)
H01L 21/336
(2006.01)
H01L 29/739
(2006.01)
H01L 29/78
(2006.01)
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MCD-Zusatzklasse |
MCA |
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Zusammenfassung |
AB |
[DE] Die Erfindung betrifft laterale Halbleiterbauelemente (20) mit hoher Spannungsfestigkeit und Verfahren zur Herstellung derselben. Derartige Halbleiterbauelemente (20) weisen einen Halbleiterkörper (1) mit einer Oberseite (2) und einer Unterseite auf. Unterhalb der Oberseite (2) ist eine in mehrere Driftbereiche (4 bis 7) unterteilte Driftzone (8) eines ersten Leitungstyps angeordnet. Dazu erstrecken sich diese Driftbereiche (4 bis 7) in einer ersten lateralen Richtung (9) und werden von einer hochdotierten, lang gestreckten ersten Anschlusszone (10), die sich senkrecht zu der ersten lateralen Richtung (9) in eine zweite laterale Richtung (11) erstreckt, einseitig begrenzt. Gegenüber der ersten Anschlusszone (10) ist parallel eine zweite Anschlusszone (12) derart strukturiert angeordnet, dass die Driftbereiche (4 bis 7) der Driftzone (8) in die zweite Anschlusszone (12) lateral hineinragen, wodurch die Breite des Übergangs von der zweiten Anschlusszone (12) zu den Driftbereichen (4 bis 7) vergrößert wird.
[EN] A semiconductor body (1) has upper (2) and lower sides. Beneath the upper side there is a drift zone (8) for a first power type divided into several drift areas (4-7) extending in a first lateral direction (LD) (9) and limited on one side by a highly doped, elongated first connection zone (10) that extends vertically in a second LD (11) towards the first LD. An independent claim is also included for a method for producing a semiconductor element. |
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Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CT |
DE000010122364A1
DE000010339488B3
DE000019702102A1
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Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CT |
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| 56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CTNP |
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| 56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CTNP |
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Zitierende Dokumente |
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Dokumente ermitteln
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Sequenzprotokoll |
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Prüfstoff-IPC |
ICP |
H01L 21/328
H01L 21/331
H01L 21/336
H01L 29/739
H01L 29/78
H01L 29/868
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