Bibliografische Daten

Dokument DE102004054352B3 (Seiten: 16)

Bibliografische Daten Dokument DE102004054352B3 (Seiten: 16)
INID Kriterium Feld Inhalt
54 Titel TI [DE] Verfahren zum Strukturieren von Kondensatorstrukturen in Halbleitergräben
[EN] Capacitor structure in semiconductor component trough structures, comprises conducting islands made of metallic and/or semiconducting materials and/or metal compounds
71/73 Anmelder/Inhaber PA INFINEON TECHNOLOGIES AG, DE
72 Erfinder IN RUEB MICHAEL, AT
22/96 Anmeldedatum AD 09.11.2004
21 Anmeldenummer AN 102004054352
Anmeldeland AC DE
Veröffentlichungsdatum PUB 16.02.2006
33
31
32		 Priorität PRC
PRN
PRD

51 IPC-Hauptklasse ICM H01L 29/06
51 IPC-Nebenklasse ICS
IPC-Zusatzklasse ICA
IPC-Indexklasse ICI
Gemeinsame Patentklassifikation CPC H10B 12/0387
H10D 1/047
MCD-Hauptklasse MCM H10B 12/00 (2023.01)
MCD-Nebenklasse MCS H01L 29/06 (2006.01)
MCD-Zusatzklasse MCA
57 Zusammenfassung AB [DE] Verfahren zum Erzeugen von Strukturen in einem Halbleitergebiet, mit den Schritten a) Erzeugen eines Grabens (2) in dem Halbleitergebiet (18), b) Füllen des Grabens mit einem Fotolack (19), c) Belichten des Fotolacks (19) mit Ionenstrahlen (20), d) Entwickeln des Fotolacks (19). DOLLAR A Für die Ionenstrahlen (20) werden Energiedichte und Ionendosis so gewählt, dass der Fotolack (19) nur in bestimmten Tiefen chemisch verändert wird, so dass sich zwei Bereiche ergeben, wobei in dem ersten Bereich (22) der Fotolack von den Ionenstrahlen (20) in den bestimmten Tiefen chemisch verändert wurde, und in dem zweiten Bereich der Fotolack chemisch unverändert ist, so dass beim Entwickeln in genau einem der beiden Bereiche der Fotolack entfernt wird.
[EN] A capacitor structure (3) in semiconductor component (1) trough structures (2) comprises conducting islands made of metallic and/or semiconducting materials and/or metal compounds. The conducting islands are stacked on top of one another at at least two opposing locations on the trough structures. The inner walls of the trough have an insulating coating (13). The regions between the islands are filled with insulating and dielectric material (15).
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt		 CT US000006573558B2
US000006608350B2
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt		 CT
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt		 CTNP
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt		 CTNP
Zitierende Dokumente Dokumente ermitteln
Sequenzprotokoll
Prüfstoff-IPC ICP H01L 29/06
H01L 29/78