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Titel |
TI |
[DE] Verfahren zum Herstellen eines Leistungshalbleiterbauteils
[EN] Manufacturing method for power semiconductor component forming edge terminal region in edge region of semiconductor material |
| 71/73 |
Anmelder/Inhaber |
PA |
INFINEON TECHNOLOGIES AG, DE
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| 72 |
Erfinder |
IN |
RUEB MICHAEL, AT
;
SCHMIDT GERHARD, AT
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| 22/96 |
Anmeldedatum |
AD |
30.07.2004 |
| 21 |
Anmeldenummer |
AN |
102004037153 |
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Anmeldeland |
AC |
DE |
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Veröffentlichungsdatum |
PUB |
23.03.2006 |
33
31
32 |
Priorität |
PRC
PRN
PRD |
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| 51 |
IPC-Hauptklasse |
ICM |
H01L 21/762
(2006.01)
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| 51 |
IPC-Nebenklasse |
ICS |
H01L 29/06
(2006.01)
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IPC-Zusatzklasse |
ICA |
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IPC-Indexklasse |
ICI |
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Gemeinsame Patentklassifikation |
CPC |
H01L 29/0634
H01L 29/0661
H01L 29/0692
H01L 29/66136
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MCD-Hauptklasse |
MCM |
H01L 21/762
(2006.01)
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MCD-Nebenklasse |
MCS |
H01L 29/06
(2006.01)
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MCD-Zusatzklasse |
MCA |
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| 57 |
Zusammenfassung |
AB |
[DE] Vorgeschlagen wird ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauteils, bei welchem in einem Randbereich (20R) eines Halbleitermaterialbereichs (20) ein Randabschlussbereich (30) mit einer Grabenstruktur (40) für eine zugrunde liegende Halbleiterschaltungsanordnung (10) ausgebildet wird. Die Grabenstruktur (40) wird vom Oberflächenbereich (20a) des Halbleitermaterialbereichs (20) vertikal in den Halbleitermaterialbereich (20) hinein erstreckend ausgebildet, wobei zur Ausbildung der Grabenstruktur (40) im Rahmen eines einzelnen und einzigen Fotostrukturierungsschritts eine einzige Maske (70) verwendet und strukturiert wird.
[EN] Power semiconductor component (1) is formed using semiconductor material (20) with central region (20Z), edge region (20R) and surface region. In central region is formed basic semiconductor circuit (10). In edge region is formed electric terminal region (30) with trench structure (40) for semiconductor circuit.Trench structure is formed to extend from surface region of semiconductor material vertically into semiconductor material. Method requires only single photo structure using step and single mask. |
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Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CT |
DE000019531369A1
DE000019954600C1
US000004756793A
US000005311052A
US000005963785A
US020030047776A1
US020030047779A1
US020040048488A1
WO002004001854A2
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| 56 |
Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CT |
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| 56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CTNP |
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| 56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CTNP |
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Zitierende Dokumente |
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Dokumente ermitteln
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Sequenzprotokoll |
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Prüfstoff-IPC |
ICP |
H01L 21/762
H01L 29/06 E
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