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Titel |
TI |
[DE] Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements |
71/73 |
Anmelder/Inhaber |
PA |
Siemens AG, 80333 München, DE
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72 |
Erfinder |
IN |
Deboy, Gerald, Dr., 82008 Unterhaching, DE
;
Friza, Wolfgang, Dipl.-Ing., Villach, AT
;
Häberlen, Oliver, Dr., Villach, AT
;
Rüb, Michael, Dr., Villach, AT
;
Strack, Helmut, Dr., 80804 München, DE
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22/96 |
Anmeldedatum |
AD |
24.09.1998 |
21 |
Anmeldenummer |
AN |
19843959 |
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Anmeldeland |
AC |
DE |
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Veröffentlichungsdatum |
PUB |
06.04.2000 |
33 31 32 |
Priorität |
PRC PRN PRD |
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51 |
IPC-Hauptklasse |
ICM |
H01L 21/334
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51 |
IPC-Nebenklasse |
ICS |
H01L 21/328
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IPC-Zusatzklasse |
ICA |
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IPC-Indexklasse |
ICI |
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Gemeinsame Patentklassifikation |
CPC |
H01L 21/26586
H01L 29/0619
H01L 29/0623
H01L 29/0634
H01L 29/0649
H01L 29/0653
H01L 29/1095
H01L 29/41766
H01L 29/78
H01L 29/7802
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MCD-Hauptklasse |
MCM |
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MCD-Nebenklasse |
MCS |
H01L 21/336
(2006.01)
H01L 29/06
(2006.01)
H01L 29/10
(2006.01)
H01L 29/78
(2006.01)
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MCD-Zusatzklasse |
MCA |
H01L 21/265
(2006.01)
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57 |
Zusammenfassung |
AB |
[DE] Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements mit in einem Halbleiterkörper alternierend angeordneten Halbleitergebieten (4, 5) abwechselnd unterschiedlichen Leitungstyps, die sich im Halbleiterkörper (1) von wenigstens einer ersten Zone (6) bis in die Nähe zu einer zweiten Zone (1) erstrecken und durch variable Dotierung aus Trenchen (11, 14) und deren Auffüllung eine elektrisches Feld erzeugen, das einen von beiden Zonen (6, 1) aus ansteigenden Verlauf hat. [EN] The invention relates to a method for producing a semiconductor component comprising semiconductor areas (4, 5) of different conductivity types which are alternately positioned in a semiconductor body and in said semiconductor body (1) extend at least from one first zone (6) to near a second zone (1) and by way of variable dopage from trenches (11, 14) and their fillings generate an electric field which increases from both said zones (6, 1). |
56 |
Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate, in Recherche ermittelt |
CT |
DE000004309764A1 US000004754310A US000005216275A WO001997029518A1
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56 |
Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate, vom Anmelder genannt |
CT |
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56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate, in Recherche ermittelt |
CTNP |
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56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate, vom Anmelder genannt |
CTNP |
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Zitierende Dokumente |
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Dokumente ermitteln
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Sequenzprotokoll |
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Prüfstoff-IPC |
ICP |
H01L 21/328
H01L 21/334
H01L 29/06 E
H01L 29/78
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