Bibliografische Daten

Dokument DE000019843959A1 (Seiten: 18)

Bibliografische Daten Dokument DE000019843959A1 (Seiten: 18)
INID Kriterium Feld Inhalt
54 Titel TI [DE] Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements
71/73 Anmelder/Inhaber PA Siemens AG, 80333 München, DE
72 Erfinder IN Deboy, Gerald, Dr., 82008 Unterhaching, DE ; Friza, Wolfgang, Dipl.-Ing., Villach, AT ; Häberlen, Oliver, Dr., Villach, AT ; Rüb, Michael, Dr., Villach, AT ; Strack, Helmut, Dr., 80804 München, DE
22/96 Anmeldedatum AD 24.09.1998
21 Anmeldenummer AN 19843959
Anmeldeland AC DE
Veröffentlichungsdatum PUB 06.04.2000
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Priorität PRC
PRN
PRD


51 IPC-Hauptklasse ICM H01L 21/334
51 IPC-Nebenklasse ICS H01L 21/328
IPC-Zusatzklasse ICA
IPC-Indexklasse ICI
Gemeinsame Patentklassifikation CPC H01L 21/26586
H01L 29/0619
H01L 29/0623
H01L 29/0634
H01L 29/0649
H01L 29/0653
H01L 29/1095
H01L 29/41766
H01L 29/78
H01L 29/7802
MCD-Hauptklasse MCM
MCD-Nebenklasse MCS H01L 21/336 (2006.01)
H01L 29/06 (2006.01)
H01L 29/10 (2006.01)
H01L 29/78 (2006.01)
MCD-Zusatzklasse MCA H01L 21/265 (2006.01)
57 Zusammenfassung AB [DE] Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements mit in einem Halbleiterkörper alternierend angeordneten Halbleitergebieten (4, 5) abwechselnd unterschiedlichen Leitungstyps, die sich im Halbleiterkörper (1) von wenigstens einer ersten Zone (6) bis in die Nähe zu einer zweiten Zone (1) erstrecken und durch variable Dotierung aus Trenchen (11, 14) und deren Auffüllung eine elektrisches Feld erzeugen, das einen von beiden Zonen (6, 1) aus ansteigenden Verlauf hat.
[EN] The invention relates to a method for producing a semiconductor component comprising semiconductor areas (4, 5) of different conductivity types which are alternately positioned in a semiconductor body and in said semiconductor body (1) extend at least from one first zone (6) to near a second zone (1) and by way of variable dopage from trenches (11, 14) and their fillings generate an electric field which increases from both said zones (6, 1).
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt
CT DE000004309764A1
US000004754310A
US000005216275A
WO001997029518A1
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt
CT
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt
CTNP
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt
CTNP
Zitierende Dokumente Dokumente ermitteln
Sequenzprotokoll
Prüfstoff-IPC ICP H01L 21/328
H01L 21/334
H01L 29/06 E
H01L 29/78