Bibliografische Daten

Dokument DE000019831622A1 (Seiten: 16)

Bibliografische Daten Dokument DE000019831622A1 (Seiten: 16)
INID Kriterium Feld Inhalt
54 Titel TI [DE] Verfahren und Vorrichtung zur Charakterisierung von mechanischen Spannungszuständen in flächenhaften Materialien
[EN] Characterization of mechanical strain conditions in planar materials; involves using capacitive measuring system comprising substrate plate and baseplate with one or more electrodes
71/73 Anmelder/Inhaber PA Technische Universität Dresden, 01069 Dresden, DE
72 Erfinder IN Gerbatsch, Andre, 01474 Schönfeld-Weißig, DE ; Lampenscherf, Stefan, 01277 Dresden, DE ; Mertig, Michael, 01189 Dresden, DE ; Pompe, Wolfgang, 01665 Gauernitz, DE ; Reich, Günter, 09599 Freiberg, DE ; Tuckermann, Martin, 01279 Dresden, DE
22/96 Anmeldedatum AD 15.07.1998
21 Anmeldenummer AN 19831622
Anmeldeland AC DE
Veröffentlichungsdatum PUB 24.02.2000
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Priorität PRC
PRN
PRD


51 IPC-Hauptklasse ICM G01B 7/16
51 IPC-Nebenklasse ICS G01B 11/06
IPC-Zusatzklasse ICA
IPC-Indexklasse ICI
Gemeinsame Patentklassifikation CPC G01B 7/08
G01B 7/22
MCD-Hauptklasse MCM
MCD-Nebenklasse MCS G01B 7/16 (2006.01)
MCD-Zusatzklasse MCA
57 Zusammenfassung AB [DE] Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Charakterisierung mechanischer Spannungszustände in flächenhaften Materialien, die auf chemische oder physikalische Einflüsse mit einer Volumenänderung reagieren. Dies wird durch ein Verformungsmeßverfahren unter Verwendung einer kapazitiven Meßanordnung, die aus einer elektrisch leitenden oder metallisierten Substratplatte und einer Grundplatte mit einer oder mehreren Elektroden besteht, gelöst. Bei diesem Meßverfahren wird die Substratplatte (1) frei gelagert. Die zu untersuchende flächenhafte Probe (P) wird auf der Substratplatte (1) so befestigt, daß sich Eigenspannungen der Meßprobe (P) auf die Substratplatte (1) übertragen und zu deren Deformation führen. Bei konstanten oder zeitlich veränderlichen physikalischen und/oder chemischen Prozeßparametern wird die durch die Deformation der Substratplatte (1) hervorgerufene Kapazitätsänderung der Elektroden der Grundplatte (2) bezüglich der Substratplatte (1) gemessen. Aus der Kapazitätsänderung, den elastischen Konstanten und der Geometrie der Substratplatte (1) sowie der Schichtdicke der Probe (P) wird deren mechanische Spannung bestimmt.
[EN] The method involves using a capacitive system with a freely located substrate plate (1). The sample (P) to be tested is fixed on the substrate plate, so that it transmits inherent stresses of the measurement sample on the substrate, to produce deformations, which are measured from the capacitance alterations of the electrodes of a baseplate (2) of the system. The mechanical stress of the sample is determined from the capacitance alteration, the elastic constants, the geometry of the substrate plate and the sample thickness.
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt
CT DD000000253292A1
DE000002831938C2
DE000004231205A1
US000002933665A
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt
CT
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt
CTNP Das Leder, 48, 1997, S.134-141 0;
Journal of Materials Science, 27, 1992, S.472 bis 478 0
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt
CTNP
Zitierende Dokumente Dokumente ermitteln
Sequenzprotokoll
Prüfstoff-IPC ICP G01B 7/16 K