| 54 |
Titel |
TI |
[DE] Verfahren zum Dotieren eines Halbleiterkörpers
[EN] Doping a semiconductor body used for production of compensation components in high voltage elements comprises implanting doping centers of ions producing a conducting type in the semiconductor body, and heat treating |
| 71/73 |
Anmelder/Inhaber |
PA |
Infineon Technologies AG, 81669 München, DE
|
| 72 |
Erfinder |
IN |
Rüb, Michael, Dr., Faak am See, AT
|
| 22/96 |
Anmeldedatum |
AD |
23.12.2002 |
| 21 |
Anmeldenummer |
AN |
10260644 |
|
Anmeldeland |
AC |
DE |
|
Veröffentlichungsdatum |
PUB |
18.03.2004 |
33
31
32 |
Priorität |
PRC
PRN
PRD |
|
| 51 |
IPC-Hauptklasse |
ICM |
H01L 21/265
|
| 51 |
IPC-Nebenklasse |
ICS |
H01L 21/268
|
|
IPC-Zusatzklasse |
ICA |
|
|
IPC-Indexklasse |
ICI |
|
|
Gemeinsame Patentklassifikation |
CPC |
H01L 21/263
H01L 21/26506
H01L 21/268
|
|
MCD-Hauptklasse |
MCM |
|
|
MCD-Nebenklasse |
MCS |
H01L 21/265
(2006.01)
H01L 21/268
(2006.01)
|
|
MCD-Zusatzklasse |
MCA |
|
| 57 |
Zusammenfassung |
AB |
[DE] Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Dotieren eines Halbleiterkörpers (2), bei dem in den zunächst beispielsweise p-dotierten Halbleiterkörper durch Ionenbestrahlung vorzugsweise mit Protonen eine n-Dotierung eingebracht wird, die dann durch Einwirkung eines Laserstrahles (8) in bestimmten Bereichen (9) gelöscht wird, so dass in diesen Bereichen (9) die ursprüngliche p-Dotierung vorliegt.
[EN] Doping a semiconductor body (1, 2) comprises implanting doping centers of the ions (6) producing a conducting type in the semiconductor body, and heat treating using ion radiation so that doping of the conducting type prevails in the semiconductor body. Further heat treatment is carried out in determined regions in the semiconductor body at a higher temperature than that of the first heat treatment. |
| 56 |
Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CT |
DE000010018371A1
DE000010025567A1
|
| 56 |
Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CT |
|
| 56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CTNP |
|
| 56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CTNP |
|
|
Zitierende Dokumente |
|
Dokumente ermitteln
|
|
Sequenzprotokoll |
|
|
|
Prüfstoff-IPC |
ICP |
H01L 21/265
H01L 21/425
|
