Bibliografische Daten

Dokument DE000010260644B3 (Seiten: 8)

Bibliografische Daten Dokument DE000010260644B3 (Seiten: 8)
INID Kriterium Feld Inhalt
54 Titel TI [DE] Verfahren zum Dotieren eines Halbleiterkörpers
[EN] Doping a semiconductor body used for production of compensation components in high voltage elements comprises implanting doping centers of ions producing a conducting type in the semiconductor body, and heat treating
71/73 Anmelder/Inhaber PA Infineon Technologies AG, 81669 München, DE
72 Erfinder IN Rüb, Michael, Dr., Faak am See, AT
22/96 Anmeldedatum AD 23.12.2002
21 Anmeldenummer AN 10260644
Anmeldeland AC DE
Veröffentlichungsdatum PUB 18.03.2004
33
31
32
Priorität PRC
PRN
PRD


51 IPC-Hauptklasse ICM H01L 21/265
51 IPC-Nebenklasse ICS H01L 21/268
IPC-Zusatzklasse ICA
IPC-Indexklasse ICI
Gemeinsame Patentklassifikation CPC H01L 21/263
H01L 21/26506
H01L 21/268
MCD-Hauptklasse MCM
MCD-Nebenklasse MCS H01L 21/265 (2006.01)
H01L 21/268 (2006.01)
MCD-Zusatzklasse MCA
57 Zusammenfassung AB [DE] Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Dotieren eines Halbleiterkörpers (2), bei dem in den zunächst beispielsweise p-dotierten Halbleiterkörper durch Ionenbestrahlung vorzugsweise mit Protonen eine n-Dotierung eingebracht wird, die dann durch Einwirkung eines Laserstrahles (8) in bestimmten Bereichen (9) gelöscht wird, so dass in diesen Bereichen (9) die ursprüngliche p-Dotierung vorliegt.
[EN] Doping a semiconductor body (1, 2) comprises implanting doping centers of the ions (6) producing a conducting type in the semiconductor body, and heat treating using ion radiation so that doping of the conducting type prevails in the semiconductor body. Further heat treatment is carried out in determined regions in the semiconductor body at a higher temperature than that of the first heat treatment.
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt
CT DE000010018371A1
DE000010025567A1
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt
CT
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt
CTNP
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt
CTNP
Zitierende Dokumente Dokumente ermitteln
Sequenzprotokoll
Prüfstoff-IPC ICP H01L 21/265
H01L 21/425