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Titel |
TI |
[DE] Verfahren zum Dotieren eines Halbleiterkörpers
[EN] Doping semiconducting body for manufacturing high voltage components involves forming defects by ion implantation of non-doping ions, processing with hydrogen and then annealing |
| 71/73 |
Anmelder/Inhaber |
PA |
Infineon Technologies AG, 81669 München, DE
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| 72 |
Erfinder |
IN |
Niedernostheide, Franz-Josef, Dr., 48157 Münster, DE
;
Rüb, Michael, Dr., Faak am See, AT
;
Schulze, Hans-Joachim, Dr., 85521 Ottobrunn, DE
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| 22/96 |
Anmeldedatum |
AD |
20.12.2002 |
| 21 |
Anmeldenummer |
AN |
10260286 |
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Anmeldeland |
AC |
DE |
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Veröffentlichungsdatum |
PUB |
19.08.2004 |
33
31
32 |
Priorität |
PRC
PRN
PRD |
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| 51 |
IPC-Hauptklasse |
ICM |
H01L 21/322
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| 51 |
IPC-Nebenklasse |
ICS |
H01L 21/324
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IPC-Zusatzklasse |
ICA |
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IPC-Indexklasse |
ICI |
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Gemeinsame Patentklassifikation |
CPC |
H01L 21/263
H01L 21/26506
H01L 21/322
H01L 21/3242
H01L 29/0634
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MCD-Hauptklasse |
MCM |
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MCD-Nebenklasse |
MCS |
H01L 21/263
(2006.01)
H01L 21/265
(2006.01)
H01L 21/322
(2006.01)
H01L 21/324
(2006.01)
H01L 29/06
(2006.01)
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MCD-Zusatzklasse |
MCA |
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| 57 |
Zusammenfassung |
AB |
[DE] Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Dotieren eines Halbleiterkörpers durch Erzeugung von Defekten und Ausbildung von mit Wasserstoff korrelierten Defekt-Komplexen, bei dem zur Erzeugung der Defekte nicht dotierend wirkende Ionen, wie insbesondere Heliumionen, verwendet werden, woran sich eine Behandlung mit Wasserstoff und eine Temperierung anschließen.
[EN] The method involves producing defects and forming defect complexes correlated with hydrogen. The method involves forming defects by ion implantation of non-doping ions, carrying out treatment with hydrogen and then annealing. The hydrogen treatment and annealing are carried out by temperature processing in a hydrogen atmosphere or by hydrogen-plasma processing. |
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Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CT |
DE000010025567A1
DE000010245089A1
US000005877070A
US000006211041B1
US000006352909B1
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Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CT |
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| 56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CTNP |
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| 56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CTNP |
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Zitierende Dokumente |
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Dokumente ermitteln
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Sequenzprotokoll |
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Prüfstoff-IPC |
ICP |
H01L 21/322
H01L 21/324
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