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Titel |
TI |
[DE] Verfahren zur Erzeugung von tiefen dotierten Säulenstrukturen in Halbleiterwafern und hierdurch hergestellte Trench-Transistoranordnung |
71/73 |
Anmelder/Inhaber |
PA |
Infineon Technologies AG, 81669 München, DE
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72 |
Erfinder |
IN |
Rüb, Michael, Dr., 9583 Faak am See, AT
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22/96 |
Anmeldedatum |
AD |
29.08.2002 |
21 |
Anmeldenummer |
AN |
10239868 |
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Anmeldeland |
AC |
DE |
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Veröffentlichungsdatum |
PUB |
29.12.2005 |
33 31 32 |
Priorität |
PRC PRN PRD |
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51 |
IPC-Hauptklasse |
ICM |
H01L 21/336
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51 |
IPC-Nebenklasse |
ICS |
H01L 21/331
H01L 29/739
H01L 29/78
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IPC-Zusatzklasse |
ICA |
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IPC-Indexklasse |
ICI |
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Gemeinsame Patentklassifikation |
CPC |
H01L 21/261
H01L 29/0634
H01L 29/66333
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MCD-Hauptklasse |
MCM |
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MCD-Nebenklasse |
MCS |
H01L 21/331
(2006.01)
H01L 29/06
(2006.01)
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MCD-Zusatzklasse |
MCA |
H01L 21/261
(2006.01)
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57 |
Zusammenfassung |
AB |
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56 |
Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate, in Recherche ermittelt |
CT |
DE000019907201A1 US000005426059A US000006103578A WO001997036328A1
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56 |
Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate, vom Anmelder genannt |
CT |
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56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate, in Recherche ermittelt |
CTNP |
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56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate, vom Anmelder genannt |
CTNP |
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Zitierende Dokumente |
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Dokumente ermitteln
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Sequenzprotokoll |
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Prüfstoff-IPC |
ICP |
H01L 21/331
H01L 21/336
H01L 29/739
H01L 29/78
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