Bibliografische Daten

Dokument DE000010239868B4 (Seiten: 13)

Bibliografische Daten Dokument DE000010239868B4 (Seiten: 13)
INID Kriterium Feld Inhalt
54 Titel TI [DE] Verfahren zur Erzeugung von tiefen dotierten Säulenstrukturen in Halbleiterwafern und hierdurch hergestellte Trench-Transistoranordnung
71/73 Anmelder/Inhaber PA Infineon Technologies AG, 81669 München, DE
72 Erfinder IN Rüb, Michael, Dr., 9583 Faak am See, AT
22/96 Anmeldedatum AD 29.08.2002
21 Anmeldenummer AN 10239868
Anmeldeland AC DE
Veröffentlichungsdatum PUB 29.12.2005
33
31
32
Priorität PRC
PRN
PRD


51 IPC-Hauptklasse ICM H01L 21/336
51 IPC-Nebenklasse ICS H01L 21/331
H01L 29/739
H01L 29/78
IPC-Zusatzklasse ICA
IPC-Indexklasse ICI
Gemeinsame Patentklassifikation CPC H01L 21/261
H01L 29/0634
H01L 29/66333
MCD-Hauptklasse MCM
MCD-Nebenklasse MCS H01L 21/331 (2006.01)
H01L 29/06 (2006.01)
MCD-Zusatzklasse MCA H01L 21/261 (2006.01)
57 Zusammenfassung AB
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt
CT DE000019907201A1
US000005426059A
US000006103578A
WO001997036328A1
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt
CT
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt
CTNP
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt
CTNP
Zitierende Dokumente Dokumente ermitteln
Sequenzprotokoll
Prüfstoff-IPC ICP H01L 21/331
H01L 21/336
H01L 29/739
H01L 29/78