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Titel |
TI |
[DE] Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit einer Driftzone und einer Feldstroppzone und Halbleiterbauelement mit einer Driftzone und einer Feldstroppzone
[EN] Production of a semiconductor component e.g. IGBT with a drift and a field stop layer comprises preparing a semiconductor layer having a base doping and an exposed front side, and introducing doping atoms into a drift zone region |
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Anmelder/Inhaber |
PA |
Infineon Technologies AG, 81669 München, DE
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Erfinder |
IN |
Rüb, Michael, Dr., Faak a. See, AT
;
Strack, Helmut, Dr., 80804 München, DE
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| 22/96 |
Anmeldedatum |
AD |
27.08.2002 |
| 21 |
Anmeldenummer |
AN |
10239312 |
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Anmeldeland |
AC |
DE |
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Veröffentlichungsdatum |
PUB |
25.03.2004 |
33
31
32 |
Priorität |
PRC
PRN
PRD |
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IPC-Hauptklasse |
ICM |
H01L 21/331
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| 51 |
IPC-Nebenklasse |
ICS |
H01L 21/336
H01L 29/739
H01L 29/78
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IPC-Zusatzklasse |
ICA |
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IPC-Indexklasse |
ICI |
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Gemeinsame Patentklassifikation |
CPC |
H01L 21/26513
H01L 21/266
H01L 29/0834
H01L 29/66333
H01L 29/7395
H01L 29/861
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MCD-Hauptklasse |
MCM |
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MCD-Nebenklasse |
MCS |
H01L 21/265
(2006.01)
H01L 21/266
(2006.01)
H01L 21/331
(2006.01)
H01L 29/08
(2006.01)
H01L 29/739
(2006.01)
H01L 29/861
(2006.01)
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MCD-Zusatzklasse |
MCA |
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Zusammenfassung |
AB |
[DE] Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit einer Driftzone eines ersten Leitungstyps und einer stärker als die Driftzone dotierten und sich an diese anschließende Feldstoppzone des ersten Leitungstyps, das folgende Verfahrensschritte aufweist: DOLLAR A - Bereitstellen eines Halbleiterkörpers mit einer Halbleiterschicht, die eine Grunddotierung des ersten Leitungstyps und eine freiliegende Vorderseite aufweist, DOLLAR A - Einbringen von Dotierstoffatomen des zweiten Leitungstyps über die Vorderseite in einen Driftzonenbereich, der von der Vorderseite bis in eine vorgegebene Tiefe reicht, die geringer ist als eine Dicke der Halbleiterschicht. DOLLAR A Des weiteren betrifft die Erfindung ein mittels eines solchen Verfahrens hergestelltes Halbleiterbauelement.
[EN] Production of semiconductor component with drift zone (23) of first conductivity connected to field stop layer (20) of first conductivity more strongly doped than drift zone comprises preparing semiconductor layer having base doping and exposed front side (101), and introducing dopants of second conductivity via front side into drift zone region from front side to prescribed depth which is lower than semiconductor layer thickness. Production of a semiconductor component with a drift zone (23) of a first conductivity and a field stop layer (20) of a first conductivity more strongly doped than the drift zone and connected to it comprises preparing a semiconductor layer having a base doping and an exposed front side (101), and introducing doping atoms of a second conductivity via the front side into a drift zone region which extends from the front side up to a prescribed depth which is lower than the thickness of the semiconductor layer. An Independent claim is also included for a semiconductor component produced by the above process. |
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Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CT |
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Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CT |
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| 56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CTNP |
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| 56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CTNP |
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Zitierende Dokumente |
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Dokumente ermitteln
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Sequenzprotokoll |
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Prüfstoff-IPC |
ICP |
H01L 21/331
H01L 29/739
H01L 29/78
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