Bibliografische Daten

Dokument DE000010156465C1 (Seiten: 14)

Dokument 1/1

Bibliografische Daten Dokument DE000010156465C1 (Seiten: 14)
INID	Kriterium	Feld	Inhalt
54	Titel	TI	[DE] Waferanordnung und Verfahren zur Herstellung einer Bondverbindung [EN] Bonded assembly of two wafers is formed using wafer recessed to make penetrations, and results in highly temperature-stable, detachable connection
71/73	Anmelder/Inhaber	PA	Infineon Technologies AG, 81669 M�nchen, DE
72	Erfinder	IN	Pairitsch, Herbert, Klagenfurt, AT ; R�b, Michael, Dr., Faak, AT
22/96	Anmeldedatum	AD	16.11.2001
21	Anmeldenummer	AN	10156465
	Anmeldeland	AC	DE
	Veröffentlichungsdatum	PUB	10.07.2003
33 31 32	Priorität	PRC PRN PRD
51	IPC-Hauptklasse	ICM	H01L 21/58
51	IPC-Nebenklasse	ICS
	IPC-Zusatzklasse	ICA
	IPC-Indexklasse	ICI
	Gemeinsame Patentklassifikation	CPC	H01L 21/6835 H01L 21/6836 H01L 2221/68318 H01L 2221/68327 H01L 2221/68381
	MCD-Hauptklasse	MCM
	MCD-Nebenklasse	MCS	H01L 21/68 (2006.01)
	MCD-Zusatzklasse	MCA
57	Zusammenfassung	AB	[DE] Die Erfindung betrifft eine hochtemperaturstabile, wiederabl�sbare Waferanordnung mit einem ersten Wafer, in dessen erste Oberfl�che erste Ausnehmungen und in dessen zweite Oberfl�che zweite Ausnehmungen eingebracht sind, die jeweils zumindest teilweise Teil von durchgehenden Verbindungen zwischen der ersten und zweiten Oberfl�che des ersten Wafers sind, mit einem zweiten Wafer, mit einer temperaturstabilen, wiederabl�sbaren Bondverbindung, die mindestens eine zwischen dem ersten und dem zweiten Wafer angeordnete und diese voneinander beabstandende Schicht, insbesondere dielektrische Schicht, aufweist und die die erste Oberfl�che des ersten Wafers mit einer ersten Oberfl�che des zweiten Wafers durch Waferbonding verbindet. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zur Herstellung einer solchen Bondverbindung. [EN] The first and second surfaces (3, 4) of a first wafer (1) are recessed (2, 5) forming penetrations between them, over the entire first surface of the first wafer. A temperature-stable, detachable connection (21) is formed between them, with spacing layers (13-15) of dielectric, uniting the first surface of the first wafer with a first surface of the second wafer, by wafer-bonding connection. An Independent claim is included for a corresponding method of forming a detachable, highly-temperature stable bond between two wafers.
56	Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate, in Recherche ermittelt	CT	DE000010029035C1 DE000010029791A1 DE000010047963A1 DE000019842419A1 JP000S63168054A US000004962062A US000006127243A
56	Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate, vom Anmelder genannt	CT
56	Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate, in Recherche ermittelt	CTNP
56	Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate, vom Anmelder genannt	CTNP
	Zitierende Dokumente		Dokumente ermitteln
	Sequenzprotokoll
	Prüfstoff-IPC	ICP	H01L 21/58 BB H01L 21/68