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Titel |
TI |
[DE] Maskenanordnung für einen Abbildungsprozess, Verfahren zu deren Herstellung sowie Verfahren zum optischen Abbilden bzw. zum Herstellen eines Kompensationsbauelements
[EN] Mask arrangement, used for an implantation process in the production of semiconductor elements, comprises mask elements each having a mask pattern and arranged in a predetermined spatial relationship |
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Anmelder/Inhaber |
PA |
Infineon Technologies AG, 81669 München, DE
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Erfinder |
IN |
Rüb, Michael, Dr., Faak am See, AT
;
Umbach, Frank, 82054 Sauerlach, DE
;
Werner, Wolfgang, Dr., 81545 München, DE
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| 22/96 |
Anmeldedatum |
AD |
05.09.2001 |
| 21 |
Anmeldenummer |
AN |
10143515 |
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Anmeldeland |
AC |
DE |
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Veröffentlichungsdatum |
PUB |
03.04.2003 |
33
31
32 |
Priorität |
PRC
PRN
PRD |
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| 51 |
IPC-Hauptklasse |
ICM |
G03F 9/00
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| 51 |
IPC-Nebenklasse |
ICS |
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IPC-Zusatzklasse |
ICA |
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IPC-Indexklasse |
ICI |
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Gemeinsame Patentklassifikation |
CPC |
G03F 1/20
H01L 21/266
H01L 29/0634
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MCD-Hauptklasse |
MCM |
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MCD-Nebenklasse |
MCS |
G03F 1/20
(2012.01)
H01L 21/266
(2006.01)
H01L 29/06
(2006.01)
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MCD-Zusatzklasse |
MCA |
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Zusammenfassung |
AB |
[DE] Um für Abbildungsprozesse, insbesondere für Implantationsprozesse, eine Maskenanordnung (3) mit besonders genauen geometrischen Eigenschaften und Abmessungen zu schaffen, wird vorgeschlagen, eine Mehrzahl von Maskenelementen (1, 2) mit jeweils einem Maskenmuster (11, 12, 12; 21, 22) vorzusehen, die Maskenelemente (1, 2) in einer vorbestimmten räumlichen Beziehung zueinander anzuordnen und dann dadurch die Maskenanordnung (3) mit einem Kombinationsmaskenmuster (31-36) durch Zusammenwirken der einzelnen Maskenmuster (11, 12, 13; 21, 22) auszubilden.
[EN] Mask arrangement comprises a number of mask elements each having a mask pattern (11, 12, 13). The mask elements are arranged in a predetermined spatial relationship. The mask arrangement is formed with a combination mask pattern by interacting and/or overlapping the mask pattern. An Independent claim is also included for a process for the production of the mask arrangement. A first mask element with a first mask pattern and a second mask element with a second mask pattern are arranged in the mask elements. The mask elements are connected together in the arrangement either directly or via a connecting region which is formed as an adhesive layer, semiconductor layer and/or silicon oxide layer. |
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Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CT |
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Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CT |
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| 56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CTNP |
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| 56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CTNP |
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Zitierende Dokumente |
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Dokumente ermitteln
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Sequenzprotokoll |
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Prüfstoff-IPC |
ICP |
G03F 9/00
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