Bibliografische Daten

Dokument DE000010129346B4 (Seiten: 13)

Bibliografische Daten Dokument DE000010129346B4 (Seiten: 13)
INID Kriterium Feld Inhalt
54 Titel TI [DE] Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes
71/73 Anmelder/Inhaber PA Infineon Technologies AG, 81669 München, DE
72 Erfinder IN Rüb, Michael, Dr., Faak am See, AT
22/96 Anmeldedatum AD 19.06.2001
21 Anmeldenummer AN 10129346
Anmeldeland AC DE
Veröffentlichungsdatum PUB 31.08.2006
33
31
32		 Priorität PRC
PRN
PRD

51 IPC-Hauptklasse ICM H01L 21/301 (2006.01)
51 IPC-Nebenklasse ICS H01L 21/306 (2006.01)
H01L 21/336 (2006.01)
IPC-Zusatzklasse ICA
IPC-Indexklasse ICI
Gemeinsame Patentklassifikation CPC H01L 21/30655
H01L 21/78
H01L 29/42368
H01L 29/781
H01L 29/7813
H01L 29/7827
MCD-Hauptklasse MCM H01L 21/301 (2006.01)
MCD-Nebenklasse MCS H01L 21/306 (2006.01)
H01L 21/336 (2006.01)
H01L 21/78 (2006.01)
H01L 29/78 (2006.01)
MCD-Zusatzklasse MCA H01L 21/3065 (2006.01)
H01L 29/423 (2006.01)
57 Zusammenfassung AB
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt		 CT DE000010062014A1
EP000000429697A1
US000004003127A
US000004259682A
US000004784721A
US000005354695A
US000005753014A
US000006071819A
US000006124612A
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt		 CT
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt		 CTNP A.Henberger, "Mikromechanik", Springer-Verlag, Berlin 1989 p 0;
JP 09134893 A. In: Patent Abstracts of Japan 0;
JP 9-134893 A. In: Patent Abstracts of Japan n;
Stengl/Tihany, "Leistungs-MOSFET-Praxis", S. 37, Pflaum-Verlag, München 1992 p 0
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt		 CTNP
Zitierende Dokumente Dokumente ermitteln
Sequenzprotokoll
Prüfstoff-IPC ICP H01L 21/301
H01L 21/306
H01L 29/78