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Bibliografische Daten

Dokument DE000010100438B4 (Seiten: 10)

Bibliografische Daten Dokument DE000010100438B4 (Seiten: 10)
INID Kriterium Feld Inhalt
54 Titel TI [DE] Verfahren zur Herstellung eines Sensorelements und Sensorelement
71/73 Anmelder/Inhaber PA Infineon Technologies AG, 81669 München, DE
72 Erfinder IN Kolb, Stefan, 85716 Unterschleißheim, DE ; Rüb, Michael, Faaker See, AT ; Werner, Wolfgang, 81545 München, DE
22/96 Anmeldedatum AD 08.01.2001
21 Anmeldenummer AN 10100438
Anmeldeland AC DE
Veröffentlichungsdatum PUB 11.05.2006
33
31
32
Priorität PRC
PRN
PRD


51 IPC-Hauptklasse ICM B81C 1/00 (2006.01)
51 IPC-Nebenklasse ICS B81B 3/00 (2006.01)
G01L 9/12 (2006.01)
G01P 15/125 (2006.01)
IPC-Zusatzklasse ICA
IPC-Indexklasse ICI
Gemeinsame Patentklassifikation CPC B81B 2201/0235
B81B 2201/0264
B81C 1/00047
G01L 9/0042
G01L 9/0073
G01P 15/0802
G01P 15/125
G01P 2015/0828
MCD-Hauptklasse MCM B81C 1/00 (2006.01)
MCD-Nebenklasse MCS B81B 3/00 (2006.01)
G01L 9/00 (2006.01)
G01L 9/12 (2006.01)
G01P 15/08 (2006.01)
G01P 15/125 (2006.01)
MCD-Zusatzklasse MCA
57 Zusammenfassung AB
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt
CT DE000010003066A1
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt
CT
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt
CTNP BOSER, B.E. et.al.: Surface Micromachined Accele- rometers. In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Vol. 31, No. 3, March 1996, pp. 366-375 p 0;
Burrer et al.:"High precision BESOI-based resonantaccelerometer" in Sensors and Actuators A, 1995, Vol. 50, S. 7-12 p 0;
KOVACS, G.T.A. et. a.: Micromachining of Silicon. In: Proceedings, IEEE, Vol. 86, No. 8, Aug. 1998, pp. 1536-51 p 0;
MIN, YOUNG-HOON et. al.: Modeling, design, fabri- cation an measurement .... In: Sensors and Acti- ators 78(1999), pp. 8-17 p 0;
SATO, TSUTOMU et. al.: A New Substrate Engineering for the formation of Empty Space in Silicon (ESS)... In: IEDM 99, pp. 517-520 p 0;
WEIGOLD, J.W. et.al.: Fabrication of Thick Si Re- sonators with a Frontside Release Etch-Diffusion Process. In: Journal of Microelectromechemical Systems, Vol. 7, No. 2, June 1998, pp. 201-206 p 0
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt
CTNP
Zitierende Dokumente Dokumente ermitteln
Sequenzprotokoll
Prüfstoff-IPC ICP B81B 3/00
B81C 1/00 S
G01L 9/12
G01P 15/125