Bibliografische Daten

Dokument DE000010100438A1 (Seiten: 10)

Bibliografische Daten Dokument DE000010100438A1 (Seiten: 10)
INID Kriterium Feld Inhalt
54 Titel TI [DE] Verfahren zur Herstellung eines Sensorelements und Sensorelement
[EN] Manufacturing semiconductor sensor, especially a pressure or acceleration sensor using two single crystal semiconductors to reduce production costs and increase reliability
71/73 Anmelder/Inhaber PA Infineon Technologies AG, 81669 München, DE
72 Erfinder IN Kolb, Stefan, 85716 Unterschleißheim, DE ; Rüb, Michael, Faaker See, AT ; Werner, Wolfgang, 81545 München, DE
22/96 Anmeldedatum AD 08.01.2001
21 Anmeldenummer AN 10100438
Anmeldeland AC DE
Veröffentlichungsdatum PUB 18.07.2002
33
31
32
Priorität PRC
PRN
PRD


51 IPC-Hauptklasse ICM B81C 1/00
51 IPC-Nebenklasse ICS B81B 3/00
G01L 9/10
G01P 15/125
IPC-Zusatzklasse ICA
IPC-Indexklasse ICI
Gemeinsame Patentklassifikation CPC B81B 2201/0235
B81B 2201/0264
B81C 1/00047
G01L 9/0042
G01L 9/0073
G01P 15/0802
G01P 15/125
G01P 2015/0828
MCD-Hauptklasse MCM
MCD-Nebenklasse MCS B81B 3/00 (2006.01)
G01L 9/00 (2006.01)
G01P 15/08 (2006.01)
G01P 15/125 (2006.01)
MCD-Zusatzklasse MCA
57 Zusammenfassung AB [DE] Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Sensorelements, bei welchem nach dem Bereitstellen eines Halbleiterkörpers (1) ein Hohlraum (2) in dem Halbleiterkörper (1) erzeugt wird und bei dem anschließend eine Isolationszone (30) zwischen einem den Hohlraum (2) teilweise umgebenden ersten Elektrodenbereich (14) und einem den Hohlraum (2) teilweise umgebenden zweiten Elektrodenbereich (12) des Halbleiterkörpers (1) hergestellt wird. Gegenstand der Erfindung ist des weiteren ein Sensorelement mit einer ersten und zweiten Elektrode (12, 14), wobei diese Elektrode (12, 14) aus einem einkristallinen Halbleitermaterial desselben Halbleiterkörpers gebildet sind.
[EN] A hollow (2) is produced in a semiconductor body (1). Insulation zones (30) are produced between first (14) and second (12) electrode zones that surround the hollow space. An Independent claim is made for a sensor element comprising two electrode zones each made from a single crystal semiconductor.
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt
CT DE000010003066A1
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt
CT
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt
CTNP BOSER, B.E. et.al.: Surface Micromachined Accele- rometers. In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Vol. 31, No. 3, March 1996, pp. 366-375 0;
KOVACS, G.T.A. et. a.: Micromachining of Silicon. In: Proceedings, IEEE, Vol. 86, No. 8, Aug. 1998, pp. 1536-51 0;
MIN, YOUNG-HOON et. al.: Modeling, design, fabri- cation an measurement .... In: Sensors and Acti- ators 78(1999), pp. 8-17 0;
SATO, TSUTOMU et. al.: A New Substrate Engineering for the formation of Empty Space in Silicon (ESS)... In: IEDM 99, pp. 517-520 0;
WEIGOLD, J.W. et.al.: Fabrication of Thick Si Re- sonators with a Frontside Release Etch-Diffusion Process. In: Journal of Microelectromechemical Systems, Vol. 7, No. 2, June 1998, pp. 201-206 0
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt
CTNP
Zitierende Dokumente Dokumente ermitteln
Sequenzprotokoll
Prüfstoff-IPC ICP B81B 3/00
B81C 1/00 S
G01L 9/12
G01P 15/125