Bibliografische Daten

Dokument DE000010051909B4 (Seiten: 16)

Bibliografische Daten Dokument DE000010051909B4 (Seiten: 16)
INID Kriterium Feld Inhalt
54 Titel TI [DE] Randabschluss für Hochvolt-Halbleiterbauelement und Verfahren zum Herstellen eines Isolationstrenches in einem Halbleiterkörper für solchen Randabschluss
71/73 Anmelder/Inhaber PA Infineon Technologies AG, 81669 München, DE
72 Erfinder IN Ahlers, Dirk, 80796 München, DE ; Detzel, Thomas, Villach, AT ; Friza, Wolfgang, Villach, AT ; Rüb, Michael, Faak, AT
22/96 Anmeldedatum AD 19.10.2000
21 Anmeldenummer AN 10051909
Anmeldeland AC DE
Veröffentlichungsdatum PUB 22.03.2007
33
31
32
Priorität PRC
PRN
PRD


51 IPC-Hauptklasse ICM H01L 29/06 (2006.01)
51 IPC-Nebenklasse ICS
IPC-Zusatzklasse ICA
IPC-Indexklasse ICI
Gemeinsame Patentklassifikation CPC H01L 29/0649
H01L 29/402
H01L 29/407
MCD-Hauptklasse MCM H01L 29/06 (2006.01)
MCD-Nebenklasse MCS H01L 29/40 (2006.01)
MCD-Zusatzklasse MCA
57 Zusammenfassung AB
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt
CT DE000003825547A1
DE000019531369A1
DE000069005805T2
EP000000436171B1
US000004927772A
US000005113237A
US000005266831A
US000005486718A
US000005714396A
WO002000038242A1
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt
CT
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt
CTNP
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt
CTNP
Zitierende Dokumente Dokumente ermitteln
Sequenzprotokoll
Prüfstoff-IPC ICP H01L 29/06 E
H01L 29/78