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Titel |
TI |
[DE] Verfahren und Vorrichtung zur Charakterisierung von mechanischen Spannungszuständen in flächenhaften Materialien
[EN] Characterizing method for mechanical stress state in two-dimensional silicon wafer, involves determining mechanical stress by capacity change for elastic constants and geometry of substrate |
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Anmelder/Inhaber |
PA |
Technische Universität Dresden, 01069 Dresden, DE
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| 72 |
Erfinder |
IN |
Mertig, Michael, 01189 Dresden, DE
;
Pompe, Wolfgang, 01737 Kurort Hartha, DE
;
Tuckermann, Martin, 01279 Dresden, DE
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| 22/96 |
Anmeldedatum |
AD |
19.01.2000 |
| 21 |
Anmeldenummer |
AN |
10003009 |
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Anmeldeland |
AC |
DE |
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Veröffentlichungsdatum |
PUB |
16.08.2001 |
33
31
32 |
Priorität |
PRC
PRN
PRD |
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| 51 |
IPC-Hauptklasse |
ICM |
G01B 7/16
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| 51 |
IPC-Nebenklasse |
ICS |
G01B 7/06
G01D 3/028
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IPC-Zusatzklasse |
ICA |
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IPC-Indexklasse |
ICI |
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Gemeinsame Patentklassifikation |
CPC |
G01B 7/22
G01D 5/2417
G01L 5/0047
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MCD-Hauptklasse |
MCM |
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MCD-Nebenklasse |
MCS |
G01B 7/16
(2006.01)
G01D 5/241
(2006.01)
G01L 5/00
(2006.01)
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MCD-Zusatzklasse |
MCA |
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Zusammenfassung |
AB |
[DE] Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Charakterisierung mechanischer Spannungszustände in flächenhaften Materialien unter Verwendung einer kapazitiven Messanordnung, die aus einer elektrisch leitenden oder metallisierten Substratplatte und einer Grundplatte mit einer oder mehreren Elektroden besteht. Erfindungsgemäß ist die Substratplatte unter Ausschluß einer thermisch beeinflußten Änderung des Abstandes gegenüber der Grundplatte frei gelagert und weist keine temperaturabhängige Eigenkrümmung auf. Die zu untersuchende flächenhafte Probe auf der Substratplatte wird so befestigt, daß sich Eigenspannungen der Meßprobe auf die Substratplatte übertragen und zu deren Deformation führen. Die Elektroden sind so auf der Grundplatte angeordnet, daß zishcen ihnen keine Dielektrika mit temperaturabhängigen Dielektrizitätskonstanten liegen.
[EN] The capacitance change of the electrodes (4a,4b) of a baseplate (2) caused by the deformation of a substrate (1) is measured concerning the substrate. Mechanical stress is then determined by the capacity change for elastic constants and geometry of the substrate as well as the layer thickness of a sample. A capacitive measuring arrangement which includes the baseplate and the electrically conducting or metalized substrate is used to measure the capacity change of the electrodes of the baseplate. The substrate excludes a thermally influenced change of a gap with the baseplate. An independent claim is also included for a characterizing device for mechanical stress in two-dimensional material, e.g. silicon wafer. |
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Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CT |
US000025764888A
DD000000253292A1
DE000002831938C2
DE000004231205A1
DE000019831622A1
US000002933665A
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| 56 |
Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CT |
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Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CTNP |
Das Leder, 48, 1997, S.134-141 0;
Journal of Material Science, 27, 1992, S.472-478 0
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Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CTNP |
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Zitierende Dokumente |
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Dokumente ermitteln
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Sequenzprotokoll |
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Prüfstoff-IPC |
ICP |
G01B 7/06
G01B 7/16 K
G01D 3/028 B
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