| 54 |
Titel |
TI |
[DE] VERFAHREN ZUM ERZEUGEN EINER SCHICHTSTRUKTUR |
| 71/73 |
Anmelder/Inhaber |
PA |
MIKROELEKTRONIK ZT FORSCH TECH, DE
|
| 72 |
Erfinder |
IN |
HILLIGER ANDREAS, DE
;
LEIBERG WOLFGANG, DE
;
MACHOLD HANS-JOACHIM, DE
;
PFUELLER ULRICH, DE
;
RAAB MICHAEL, DE
|
| 22/96 |
Anmeldedatum |
AD |
17.06.1985 |
| 21 |
Anmeldenummer |
AN |
27744485 |
|
Anmeldeland |
AC |
DD |
|
Veröffentlichungsdatum |
PUB |
28.02.1991 |
33
31
32 |
Priorität |
PRC
PRN
PRD |
|
| 51 |
IPC-Hauptklasse |
ICM |
H01L 21/18
|
| 51 |
IPC-Nebenklasse |
ICS |
|
|
IPC-Zusatzklasse |
ICA |
|
|
IPC-Indexklasse |
ICI |
|
|
Gemeinsame Patentklassifikation |
CPC |
|
|
MCD-Hauptklasse |
MCM |
|
|
MCD-Nebenklasse |
MCS |
H01L 21/18
(2006.01)
|
|
MCD-Zusatzklasse |
MCA |
|
| 57 |
Zusammenfassung |
AB |
[DE] Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Erzeugen einer Schichtstruktur, insbesondere aus hochdotiertem polykristallinem Silizium, bei der Herstellung von Halbleiteranordnungen mit einem sehr hohen Integrationsgrad. Erfindungsgemaesz wird die Aufgabe beim Erzeugen von polykristallinen Siliziumschichstrukturen Maszabweichungen der geaetzten Strukturen sowie hohe Schichtwiderstaende zu vermeiden, um so eine hohe Ausbeute des Herstellungsprozesses von hochintegrierten Halbleiteranordnungen zu gewaehrleisten, dadurch geloest, dasz nach dem Strukturieren der undotiert auf einer auf einem Halbleitersubstrat befindlichen isolierenden Schicht aufgebrachten polykristallinen Siliziumschicht und dem Erzeugen der Source-Drain-Gebiete, die zur Strukturierung eingesetzte Photolackmaske entfernt wird und nach Erzeugen einer ersten Oxydationsschicht und deren UEberaetzung die polykristalline Siliziumstruktur durch eine Diffusion dotiert und nach einer erneuten UEberaetzung mit einer zweiten Oxydationsschicht bedeckt wird. |
| 56 |
Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CT |
|
| 56 |
Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CT |
|
| 56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CTNP |
|
| 56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CTNP |
|
|
Zitierende Dokumente |
|
Dokumente ermitteln
|
|
Sequenzprotokoll |
|
|
|
Prüfstoff-IPC |
ICP |
H01L 21/18
|
