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Titel |
TI |
[DE] VERFAHREN ZUR ANSCHLUSSERZEUGUNG VON BEGRABENEN GEBIETEN |
| 71/73 |
Anmelder/Inhaber |
PA |
DRESDEN MIKROELEKTRONIK, DD
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| 72 |
Erfinder |
IN |
FEUDEL THOMAS, DD
;
PFUELLER ULRICH, DD
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| 22/96 |
Anmeldedatum |
AD |
21.09.1988 |
| 21 |
Anmeldenummer |
AN |
32000588 |
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Anmeldeland |
AC |
DD |
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Veröffentlichungsdatum |
PUB |
31.01.1990 |
33
31
32 |
Priorität |
PRC
PRN
PRD |
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| 51 |
IPC-Hauptklasse |
ICM |
H01L 21/265
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| 51 |
IPC-Nebenklasse |
ICS |
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IPC-Zusatzklasse |
ICA |
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IPC-Indexklasse |
ICI |
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Gemeinsame Patentklassifikation |
CPC |
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MCD-Hauptklasse |
MCM |
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MCD-Nebenklasse |
MCS |
H01L 21/265
(2006.01)
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MCD-Zusatzklasse |
MCA |
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| 57 |
Zusammenfassung |
AB |
[DE] Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Anschlusserzeugung von begrabenen Gebieten bei der Herstellung von mikroelektronischen Halbleiterbauelementen in MOS- und/oder Bipolar-Technologie. Das erfindungsgemaesse Verfahren ist dadurch gekennzeichnet, dass zur Anschlusserzeugung eine Grabenaetzung durch ein anisotropes Aetzverfahren durch die Epitaxialschicht, die die begrabenen Gebiete bedeckt, bis zu dem begrabenen Gebiet ausgefuehrt und anschliessend eine in-situ hochdotierte polykristalline Siliziumschicht, die den Graben vollstaendig ausfuellt, aufgebracht wird. |
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Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CT |
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Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CT |
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Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CTNP |
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Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CTNP |
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Zitierende Dokumente |
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Dokumente ermitteln
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Sequenzprotokoll |
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Prüfstoff-IPC |
ICP |
H01L 21/265
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