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Titel |
TI |
[DE] VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HALBLEITERANORDNUNG AUF EINEM SILIZIUMSUBSTRAT |
| 71/73 |
Anmelder/Inhaber |
PA |
MIKROELEKTRONIK ZT FORSCH TECH, DD
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| 72 |
Erfinder |
IN |
LEIBERG WOLFGANG, DD
;
PFUELLER ULRICH, DD
;
RAAB MICHAEL, DD
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| 22/96 |
Anmeldedatum |
AD |
02.03.1984 |
| 21 |
Anmeldenummer |
AN |
26050984 |
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Anmeldeland |
AC |
DD |
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Veröffentlichungsdatum |
PUB |
27.09.1989 |
33
31
32 |
Priorität |
PRC
PRN
PRD |
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| 51 |
IPC-Hauptklasse |
ICM |
H01L 21/316
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| 51 |
IPC-Nebenklasse |
ICS |
H01L 21/324
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IPC-Zusatzklasse |
ICA |
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IPC-Indexklasse |
ICI |
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Gemeinsame Patentklassifikation |
CPC |
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MCD-Hauptklasse |
MCM |
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MCD-Nebenklasse |
MCS |
H01L 21/316
(2006.01)
H01L 21/324
(2006.01)
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MCD-Zusatzklasse |
MCA |
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| 57 |
Zusammenfassung |
AB |
[DE] Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung auf einem Siliziumsubstrat, insbesondere in einer Silicon-Gate-Technik. Durch stabile technologische Parameter, wie Strukturbreiten, Dotierungsprofile usw., soll eine Erhoehung der Ausbeute bei Verfahren, bei denen durch thermische Vorbehandlung eine defektfreie oberflaechennahe Substratschicht erzeugt wird, erzielt werden. Diese Aufgabe wird erfindungsgemaesse dadurch geloest, dass die durch die Vorbehandlung gebildete Siliziumdioxidschicht entfernt wird und nach einer Reinigung der Substratoberflaeche wieder eine Siliziumdioxidschicht durch thermische Oxidation in Sauerstoffatmosphaere erzeugt wird. |
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Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CT |
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Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CT |
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Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CTNP |
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| 56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CTNP |
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Zitierende Dokumente |
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Dokumente ermitteln
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Sequenzprotokoll |
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Prüfstoff-IPC |
ICP |
H01L 21/316
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