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Titel |
TI |
[DE] VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON TRANSISTOREN MIT KURZEN KANALLAENGEN |
| 71/73 |
Anmelder/Inhaber |
PA |
MIKROELEKTRONIK ZT FORSCH TECH, DD
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| 72 |
Erfinder |
IN |
PFUELLER ULRICH, DD
;
RAAB MICHAEL, DD
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| 22/96 |
Anmeldedatum |
AD |
23.12.1985 |
| 21 |
Anmeldenummer |
AN |
28527185 |
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Anmeldeland |
AC |
DD |
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Veröffentlichungsdatum |
PUB |
29.04.1987 |
33
31
32 |
Priorität |
PRC
PRN
PRD |
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| 51 |
IPC-Hauptklasse |
ICM |
H01L 21/316
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| 51 |
IPC-Nebenklasse |
ICS |
H01L 29/78
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IPC-Zusatzklasse |
ICA |
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IPC-Indexklasse |
ICI |
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Gemeinsame Patentklassifikation |
CPC |
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MCD-Hauptklasse |
MCM |
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MCD-Nebenklasse |
MCS |
H01L 21/316
(2006.01)
H01L 29/78
(2006.01)
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MCD-Zusatzklasse |
MCA |
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| 57 |
Zusammenfassung |
AB |
[DE] Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Transistoren mit kurzen Kanallaengen bei der Fertigung von mikroelektronischen Halbleiteranordnungen mit einem sehr hohen Integrationsgrad. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, durch Vermeidung einer grossen Unterdiffusion der Source-Drain-Gebiete Halbleiteranordnungen mit stabilen elektrischen Eigenschaften zu erzeugen und somit die Ausbeute des Herstellungsprozesses zu erhoehen. Erfindungsgemaess wird die Aufgabe dadurch geloest, dass nach dem mit Photolackmaske erfolgenden Einbringen der Source-Drain-Gebiete mittels Ionenimplantation eine ganzflaechige Oxydation durchgefuehrt und anschliessend durch eine nasschemische Ueberaetzung die Oberflaeche der polykristallinen Siliziumschicht (Gates) freigelegt wird, dass im Anschluss daran eine undotierte Siliziumdioxidschicht und danach eine Phosphorsilikatglasschicht abgeschieden wird. |
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Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CT |
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Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CT |
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Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CTNP |
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Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CTNP |
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Zitierende Dokumente |
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Dokumente ermitteln
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Sequenzprotokoll |
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Prüfstoff-IPC |
ICP |
H01L 21/316
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