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Titel |
TI |
[DE] VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG HOCHDOTIERTER GEBIETE UNTER VERWENDUNG VON PHOTOLACKMASKEN |
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Anmelder/Inhaber |
PA |
MIKROELEKTRONIK ZT FORSCH TECH, DD
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Erfinder |
IN |
GOEBEL GUNDOLF, DD
;
HAENEL HEINZ-OLAF, DD
;
LEIBERG WOLFGANG, DD
;
PFUELLER ULRICH, DD
;
RAAB MICHAEL, DD
;
SELLE HANS-JOACHIM, DD
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| 22/96 |
Anmeldedatum |
AD |
25.01.1985 |
| 21 |
Anmeldenummer |
AN |
27277485 |
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Anmeldeland |
AC |
DD |
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Veröffentlichungsdatum |
PUB |
19.03.1986 |
33
31
32 |
Priorität |
PRC
PRN
PRD |
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| 51 |
IPC-Hauptklasse |
ICM |
H01L 21/312
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| 51 |
IPC-Nebenklasse |
ICS |
C23C 14/24
H01L 21/324
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IPC-Zusatzklasse |
ICA |
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IPC-Indexklasse |
ICI |
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Gemeinsame Patentklassifikation |
CPC |
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MCD-Hauptklasse |
MCM |
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MCD-Nebenklasse |
MCS |
C23C 14/24
(2006.01)
H01L 21/312
(2006.01)
H01L 21/324
(2006.01)
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MCD-Zusatzklasse |
MCA |
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Zusammenfassung |
AB |
[DE] Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung hochdotierter Gebiete unter Verwendung von Photolackmasken bei der Erzeugung integrierter Halbleiterbauelemente. Ziel und Aufgabe der Erfindung ist, auf einfache Weise Kantenverschiebungen der verwendeten Photolackmasken durch einen deutlichen Lackabtrag bei der Stabilisierung der Photolackmasken zu vermeiden. Erfindungsgemaess wird die Aufgabe dadurch geloest, dass vor der Ionenimplantation die Photolackmaske in einem durch Hochfrequenz erzeugten reinen CF4-Gasplasma plasmachemisch behandelt und anschliessend bei einer Temperatur von annaehernd 140C getempert wird. |
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Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CT |
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Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CT |
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Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt |
CTNP |
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| 56 |
Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt |
CTNP |
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Zitierende Dokumente |
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Dokumente ermitteln
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Sequenzprotokoll |
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Prüfstoff-IPC |
ICP |
H01L 21/312 RS
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